[發(fā)明專利]表征晶背缺陷的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310745789.9
• 申請(qǐng)日: 2013-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104752252A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉孜謙;譚孝林;高燕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種表征晶背缺陷的方法，其特征在于，包括：

提供晶圓，所述晶圓包括晶圓正面和晶圓背面，所述晶圓背面具有晶背缺陷；

提供終端，在所述終端建立第一坐標(biāo)系和第二坐標(biāo)系，所述第一坐標(biāo)系和第二坐標(biāo)系為同一坐標(biāo)系；

將所述晶圓正面的芯片分布圖輸入終端并顯示在第一坐標(biāo)系中形成芯片地圖；

獲取晶背圖片，并將所述晶背圖片顯示在第二坐標(biāo)系中；

在所述晶背圖片對(duì)應(yīng)晶背缺陷的位置形成缺陷標(biāo)記，終端記錄所述缺陷標(biāo)記在第二坐標(biāo)系中的坐標(biāo)；

根據(jù)所述缺陷標(biāo)記的坐標(biāo)，在所述第一坐標(biāo)系的芯片地圖上標(biāo)記缺陷芯片，所述缺陷芯片與晶背缺陷對(duì)準(zhǔn)。

2.如權(quán)利要求1所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，使用與終端電連接的攝像頭對(duì)晶圓背面進(jìn)行拍照來(lái)獲取晶背圖片。

3.如權(quán)利要求2所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，所述終端為300mm晶圓自動(dòng)檢測(cè)和復(fù)檢系統(tǒng)。

4.如權(quán)利要求1所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，每一缺陷標(biāo)記包括多個(gè)點(diǎn)，每形成一個(gè)點(diǎn)，終端記錄一個(gè)坐標(biāo)，對(duì)應(yīng)多個(gè)點(diǎn)記錄多個(gè)坐標(biāo)；每個(gè)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的芯片均被標(biāo)記為缺陷芯片。

5.如權(quán)利要求1所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，每一缺陷標(biāo)記中的所述多個(gè)點(diǎn)構(gòu)成的形狀與對(duì)應(yīng)的晶背缺陷的形狀相同。

6.如權(quán)利要求1所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，在所述芯片地圖上標(biāo)記缺陷芯片的方法包括：

在所述終端中，將缺陷標(biāo)記映射到一虛擬晶圓上，所述虛擬晶圓為終端模擬的和所述晶圓形狀形同的圖形；

將所述虛擬晶圓的正面與芯片地圖疊加，根據(jù)記錄的缺陷標(biāo)記坐標(biāo)識(shí)別缺陷芯片。

7.如權(quán)利要求6所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，將缺陷標(biāo)記映射到一虛擬晶圓上的方法為：

在所述終端建立第三坐標(biāo)系，所述第三坐標(biāo)系和第二坐標(biāo)系、第一坐標(biāo)系為同一坐標(biāo)系；

在所述第三坐標(biāo)系中形成一虛擬晶圓；

根據(jù)記錄的缺陷標(biāo)記坐標(biāo)，終端定位第三坐標(biāo)系中相同坐標(biāo)位置，并將缺陷標(biāo)顯示在該相同坐標(biāo)位置的虛擬晶圓正面。

8.如權(quán)利要求6所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，根據(jù)記錄的缺陷標(biāo)記坐標(biāo)識(shí)別缺陷芯片包括：

在所述第一坐標(biāo)系中定位與缺陷標(biāo)記坐標(biāo)相同的正面坐標(biāo)；

在所述第一坐標(biāo)系中識(shí)別所述正面坐標(biāo)位置的芯片，并標(biāo)記為缺陷芯片。

9.如權(quán)利要求1所述的表征晶背缺陷的方法，其特征在于，所述晶背缺陷包括：刮傷或色差。