[發明專利]圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器的制造方法

有效

• 申請號: 201310744570.7
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103693614A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 王永剛;田雷;金建東;王明偉;李海博;劉智輝;尹延昭;王曉光;李玉玲;毛宏慶
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十九研究所
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;G01L1/18
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 侯靜

1.圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器的制造方法，其特征在于圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器的制造方法如下：

一、將SOI晶片放入氧化爐進行氧化，在SOI晶片表面形成氧化層；

二、將經過步驟一處理的SOI晶片放入離子注入機，在SOI晶片的一面注入濃度為2×10²⁰cm^-3，能量為80kev的濃硼；

三、光刻：在SOI晶片注入濃硼的一面涂光刻膠，然后采用光刻機進行光刻；

四、刻蝕高摻雜硅：采用刻蝕機對經過步驟三處理的SOI晶片注入濃硼的一面進行刻蝕；

五、二次氧化：將經過步驟五處理的SOI晶片放入氧化爐進行氧化；

六、正面光刻：將SOI晶片未注入濃硼的一面涂光刻膠，然后采用光刻機進行光刻；

七、正面干法刻蝕：采用鋁或光刻膠作為掩膜，在SF₆流量為300sccm、C₄F₈流量為150sccm、上電極功率為1200W、下電極功率為80W、壓力為5Pa的條件下刻蝕經過步驟六處理的SOI晶片注入濃硼的一面，刻蝕結束后，除去鋁或光刻膠，除去SOI晶片未注入濃硼的一面的氧化層；

八、蒸鋁：使用蒸發臺在SOI晶片未注入濃硼的一面沉積厚度為3000埃的鋁；

九、背面光刻：將光刻膠涂在SOI晶片注入濃硼的一面，采用光刻機光刻經過步驟八處理的在SOI晶片未注入濃硼的一面的鋁層，除去剩余的鋁層；

十、背面干法刻蝕：采用鋁或光刻膠作為掩膜，在SF₆流量為400sccm、C₄F₈流量為150sccm、上電極功率為1500W、下電極功率為80W、壓力為5Pa的條件下刻蝕經過步驟九處理的SOI晶片未注入濃硼的一面；

十一、靜電封接：采用鍵合機將玻璃片與經過步驟十處理的SOI晶片在鍵合溫度為360℃、鍵合電壓為1500V、鍵合壓力為1000N的條件下鍵合15min，得到靜電封接好的圓片；

十二、分離：將步驟十一得到的靜電封接好的圓片分離成單個的芯片，即得圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器。

2.根據權利要求1所述圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器的制造方法，其特征在于步驟一中所述的SOI晶片為P型硅。

3.根據權利要求1或2所述圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器的制造方法，其特征在于步驟三、步驟六、步驟七、步驟九及步驟十中所述的光刻膠型號為光刻膠AZ1500。

4.根據權利要求1或2所述圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器的制造方法，其特征在于步驟七中除去鋁的方法如下：在溫度為80℃、濃度為80%的濃磷酸中腐蝕鋁；步驟七中除去光刻膠的方法如下：在丙酮內溶解光刻膠。

5.根據權利要求1或2所述圓弧應力勻散結構抗過載微壓傳感器的制造方法，其特征在于步驟九中除去剩余的鋁層的方法如下：在溫度為80℃、濃度為80%的濃磷酸中腐蝕鋁層。