[發(fā)明專利]提高固態(tài)硬盤可靠性方法和裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310744083.0 | 申請日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN103713969A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黎燕;周建華;王斐 | 申請（專利權(quán)）人： | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G06F11/14 | 分類號： | G06F11/14;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人： | 劉芳 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提高 固態(tài) 硬盤 可靠性 方法 裝置 | ||
1.一種提高固態(tài)硬盤可靠性方法，其特征在于，包括：
判斷固態(tài)硬盤的第一閃存顆粒是否即將失效；
若確定所述第一閃存顆粒即將失效，則禁止向所述第一閃存顆粒寫入數(shù)據(jù)；
將所述第一閃存顆粒上的數(shù)據(jù)遷移到所述固態(tài)硬盤上的第二閃存顆粒上，所述第二閃存顆粒為所述固態(tài)硬盤的有效閃存顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷固態(tài)硬盤的第一閃存顆粒是否即將失效，包括：
統(tǒng)計所述第一閃存顆粒內(nèi)處于異常狀態(tài)的塊的數(shù)目；
確定所述第一閃存顆粒內(nèi)處于異常狀態(tài)的塊的數(shù)目是否大于等于第一預(yù)設(shè)門限值；
若確定所述第一閃存顆粒內(nèi)處于異常狀態(tài)的塊的數(shù)目大于等于第一預(yù)設(shè)門限值，則確定所述第一閃存顆粒即將失效。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷固態(tài)硬盤的第一閃存顆粒是否即將失效，包括：
統(tǒng)計所述第一閃存顆粒的擦寫次數(shù)；
確定所述第一閃存顆粒的擦寫次數(shù)是否大于等于第二預(yù)設(shè)門限值；
若確定所述第一閃存顆粒的擦寫次數(shù)大于等于第二預(yù)設(shè)門限值，則確定所述第一閃存顆粒即將失效。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的方法，其特征在于，所述固態(tài)硬盤包括至少兩個閃存顆粒，每個閃存顆粒包括至少一個存儲單元，所述方法還包括：
在至少兩個所述存儲單元之間建立RAID；
若判斷所述第一閃存顆粒已經(jīng)失效，則禁止向所述第一閃存顆粒寫入數(shù)據(jù)，并通過包括所述第一閃存顆粒的存儲單元的RAID中除所述第一閃存顆粒的存儲單元之外的其他存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)對所述第一閃存顆粒上的數(shù)據(jù)進行恢復(fù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在所述通過包括所述第一閃存顆粒的存儲單元的RAID中除所述第一閃存顆粒的存儲單元之外的其他存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)對所述第一閃存顆粒上的數(shù)據(jù)進行恢復(fù)之后，還包括：
將恢復(fù)后的數(shù)據(jù)遷移到所述第二閃存顆粒上。
6.一種提高固態(tài)硬盤可靠性裝置，其特征在于，包括：
判斷模塊，用于判斷固態(tài)硬盤的第一閃存顆粒是否即將失效；
處理模塊，用于若確定所述第一閃存顆粒即將失效，則禁止向所述第一閃存顆粒寫入數(shù)據(jù)；
數(shù)據(jù)遷移模塊，用于將所述第一閃存顆粒上的數(shù)據(jù)遷移到所述固態(tài)硬盤上的第二閃存顆粒上，所述第二閃存顆粒為所述固態(tài)硬盤的有效閃存顆粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于：
所述判斷模塊，具體用于統(tǒng)計所述第一閃存顆粒內(nèi)處于異常狀態(tài)的塊的數(shù)目；確定所述第一閃存顆粒內(nèi)處于異常狀態(tài)的塊的數(shù)目是否大于等于第一預(yù)設(shè)門限值；若確定所述第一閃存顆粒內(nèi)處于異常狀態(tài)的塊的數(shù)目大于等于第一預(yù)設(shè)門限值，則確定所述第一閃存顆粒即將失效。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于：
所述判斷模塊，具體用于統(tǒng)計所述第一閃存顆粒的擦寫次數(shù)；確定所述第一閃存顆粒的擦寫次數(shù)是否大于等于第二預(yù)設(shè)門限值；若確定所述第一閃存顆粒的擦寫次數(shù)大于等于第二預(yù)設(shè)門限值，則確定所述第一閃存顆粒即將失效。
9.根據(jù)權(quán)利要求6～8中任一項所述的裝置，其特征在于：所述固態(tài)硬盤包括至少兩個閃存顆粒，每個閃存顆粒包括至少一個存儲單元；
所述處理模塊，還用于在至少兩個所述存儲單元之間建立RAID；若判斷所述第一閃存顆粒已經(jīng)失效，則禁止向所述第一閃存顆粒寫入數(shù)據(jù)，并通過包括所述第一閃存顆粒的存儲單元的RAID中除所述第一閃存顆粒的存儲單元之外的其他存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)對所述第一閃存顆粒上的數(shù)據(jù)進行恢復(fù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于：
所述數(shù)據(jù)遷移模塊，還用于在所述通過包括所述第一閃存顆粒的存儲單元的RAID中除所述第一閃存顆粒的存儲單元之外的其他存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)對所述第一閃存顆粒上的數(shù)據(jù)進行恢復(fù)之后，將恢復(fù)后的數(shù)據(jù)遷移到所述第二閃存顆粒上。
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