[發明專利]基于四苯基乙烯的化合物和含有該化合物的OLED器件

在審

• 申請號: 201310743948.1
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN104064689A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: J.J.閻;X.任
• 申請（專利權）人: 陶氏環球技術有限責任公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/52
• 代理公司: 北京市嘉元知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11484
• 代理人: 劉彬

1.一種組合物，其包括：

結構(I)的四苯基乙烯，結構(IA)的四苯基乙烯，或其組合：

其中對于每個結構(I)和(IA)，R₁，R₂，R₃，和R₄為相同或不同，和

其中R₁，R₂，R₃，和R₄各自獨立地選自氫，烴基，取代的烴基，及其組合；或者

其中R₁和R₂各自獨立地選自氫，烴基，取代的烴基，及其組合；并且R₃和R₄形成環結構；或者

其中R₃和R₄各自獨立地選自氫，烴基，取代的烴基，及其組合；并且R₁和R₂形成環結構；或者

其中R₁和R₂形成環結構，并且R₃和R₄形成環結構。

2.權利要求1的組合物，其包括選自以下的結構(I)的異構體：Z-異構體，E-異構體，及其組合。

3.權利要求1的組合物，其中R₁至R₄各自包括至少一個芳基。

4.權利要求1的組合物，其中R₁至R₄各自為苯基。

5.權利要求1的組合物，其中結構(I)的四苯基乙烯，結構(IA)的四苯基乙烯，或其組合的計算HOMO能級為-4.3eV至-4.6eV。

6.權利要求1的組合物，其中結構(I)的四苯基乙烯的分子量為700g/mol至1300g/mol。

7.權利要求1的組合物，還包括芳族溶劑。

8.權利要求7的組合物，其中所述芳族溶劑選自二甲苯，甲苯，苯，苯甲醚及其組合。

9.一種膜，其包括至少兩層，即層A和層B，和其中層A由權利要求1的組合物形成。

10.權利要求9的膜，其中層A是空穴注入層。

11.權利要求10的膜，其中所述組合物的計算HOMO能級為-4.3eV至-4.6eV.

12.權利要求9的膜，其中層B是空穴傳輸層。

13.一種電子器件，其包括至少一個由權利要求1的組合物形成的組件。

14.權利要求13的電子器件，還包括第一電極。

15.權利要求13-14中任一項的電子器件，還包括置于所述第一電極上的第二電極。

16.權利要求13的電子器件，其中所述組件包括所述組合物作為有機層，所述有機層置于第一電極和第二電極之間。

17.權利要求13的電子器件，其中所述組件是含有所述組合物的空穴注入層。

18.權利要求17的電子器件，其中所述組合物的計算HOMO能級為-4.3eV至-4.6eV。