[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310743914.2 | 申請日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN103915536B | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李珍雄;金京完;金信亨;尹馀鎮(zhèn) | 申請（專利權(quán)）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 李柱天;薛義丹 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
基板，具有第一側(cè)面以及與所述第一側(cè)面相面對的第二側(cè)面；
半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，位于所述基板上，
其中，所述基板的底面與所述第一側(cè)面成銳角并與所述第二側(cè)面成鈍角，所述第一側(cè)面以及第二側(cè)面分別包括連接于所述基板的上表面的第一傾斜面和連接于所述基板的底面的第二傾斜面，且相對于所述基板的底面而言，所述第一傾斜面具有比第二傾斜面更大的傾角。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一傾斜面包括：
劃片面；
第一斷裂面，連接劃片面和所述第二傾斜面。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述劃片面為激光劃片面。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述第二傾斜面為第二斷裂面。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述第一斷裂面相對于第二斷裂面更近于m面，所述第二斷裂面相對于所述第一斷裂面更近于r面。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，相對于所述基板的底面，所述第二傾斜面具有45°～70°的傾角。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，所述基板為單晶基板。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述單晶基板為藍(lán)寶石基板。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述藍(lán)寶石基板的厚度為80～120μm。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中，所述第一側(cè)面的第二傾斜面與所述第二側(cè)面的第二傾斜面具有不同的傾角。
11.一種發(fā)光器件制造方法，包括如下步驟：
在晶圓主平面上形成劃片槽；
將刀刃接觸于所述晶圓背面并施加沖擊，以使所述晶圓斷裂而形成發(fā)光器件，
其中，所述發(fā)光器件包括：具有第一側(cè)面以及與所述第一側(cè)面相面對的第二側(cè)面的基板；位于所述基板上的半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，
而且，所述基板的底面與所述第一側(cè)面成銳角并與所述第二側(cè)面成鈍角，所述第一側(cè)面以及第二側(cè)面分別包括連接于所述基板的上表面的第一傾斜面和連接于所述基板的底面的第二傾斜面，且相對于所述基板的底面而言，所述第一傾斜面具有比第二傾斜面更大的傾角。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件制造方法，其中，所述第一傾斜面包括：
劃片面；
第一斷裂面，連接所述劃片面和所述第二傾斜面。
13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件制造方法，其中，相對于所述基板的底面，所述第二傾斜面具有45°～70°的傾角。
14.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件制造方法，其中，所述第一傾斜面相對于第二傾斜面更近于m面，而所述第二傾斜面相對于所述第一傾斜面更近于r面。
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