[發(fā)明專利]一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310743385.6 | 申請日： | 2013-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN103663361A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙文杰;胡軍;周真;施云波;羅毅 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱理工大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150080 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 硅基片 陶瓷 柔性 機械 光刻 剝離 工藝 方法 | ||
1.一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，該方法的具體步驟為：
步驟一、采用硅基片或氮化鋁陶瓷基片為襯底，將硅基片或氮化鋁陶瓷基片在超聲波的作用下分別在丙酮溶液中和酒精溶液中進行清洗，清洗后烘干，獲得烘干的硅基片或氮化鋁陶瓷基片；
步驟二、對在步驟一獲得的烘干的硅基片或氮化鋁陶瓷基片進行均勻涂膠，涂膠后將基片放入烘箱中進行烘干，以制備器件圖案的反圖形掩模版為制版圖形，在曝光機上對涂有光刻膠的硅基片或氮化鋁陶瓷基片進行曝光15s～30s；
步驟三、在步驟二獲得曝光后的硅基片或氮化鋁陶瓷基片放入正性光刻膠顯影液中進行顯影，直到曝光區(qū)域的光刻膠溶解形成的清晰光刻膠圖形為止，并將顯影后的帶有光刻膠圖形的陶瓷基片放入干燥箱中進行烘干15min～30min；
步驟四、對步驟三獲得的光刻圖形后的硅基片或氮化鋁陶瓷基片進行濺射鍍膜，獲得鍍有鉑膜的硅基片或氮化鋁陶瓷基片；
步驟五、將步驟四鍍有鉑膜的硅基片或氮化鋁陶瓷基片放入丙酮溶液中浸泡，溶解光刻膠，同時對硅基片或氮化鋁陶瓷基片進行微超聲清洗，直至金屬鉑膜下的光刻膠完全溶解為止；
步驟六、采用柔性的雙向拉伸聚丙烯壓敏膠粘帶附著在步驟五獲得的鍍有鉑膜硅基片或氮化鋁陶瓷基片上，對壓敏膠帶施加機械切向外力作用，在壓敏膠粘帶作用下未直接沉積在陶瓷基片或硅基片上的金屬鉑膜就黏附在壓敏膠帶上；形成鍍有金屬鉑膜圖形的硅基片或氮化鋁陶瓷基片；
步驟七、退火處理，將步驟六形成的金屬鉑膜圖形的陶瓷基片在800℃～850℃溫度下退火2h～3h，獲得具有線條清晰規(guī)整的金屬圖的陶瓷基片或硅基片，實現(xiàn)對硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，步驟一所述的將硅基片或氮化鋁陶瓷基片在超聲波的作用下分別在丙酮溶液中和酒精溶液中進行清洗，清洗后烘干的具體過程為：
先將硅基片或氮化鋁陶瓷基片浸入在丙酮溶液中，并在頻率為30kHz的超聲波進行清洗，清洗后取出硅基片或氮化鋁陶瓷基片再浸入酒精溶液中在頻率為50kHz的超聲波作用下進行清洗10min～15min，取出硅基片或氮化鋁陶瓷基片在150℃溫度下進行20min～30min烘干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，步驟二中所述的對在步驟一獲得的烘干的硅基片或氮化鋁陶瓷基片進行均勻涂膠的方法為：
采用BP212CP37型正性光刻膠在勻膠機2500r/min～5000r/min速度下進行均勻涂膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，步驟二中所述的涂膠后將基片放入烘箱中進行烘干的條件為：烘箱中的溫度為80℃～100℃，烘干時間為：20min～30min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，步驟三中所述的在步驟二獲得曝光后的硅基片或氮化鋁陶瓷基片放入正性光刻膠顯影液中進行顯影的時間為：10s～30s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，步驟四中對步驟三獲得的光刻圖形后的硅基片或氮化鋁陶瓷基片進行濺射鍍膜的方法為：
采用真空多靶濺射鍍膜機，利用純度為99.999％、直徑為60mm和厚度為2.5mm的鉑靶材進行濺射；將硅基片或氮化鋁陶瓷基片放入濺射室內(nèi)，控制濺射室的真空度達到10-5Pa時，往濺射室通氬氣，氬氣壓強為1.5Pa，采用直流濺射，濺射功率為32W，時間為20min，氬氣的流量為15ml/min～20ml/min，濺射鍍膜的時間為15min～20min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，步驟五中所述的對硅基片或氮化鋁陶瓷基片進行微超聲清洗的微超聲的頻率為30kHz。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，步驟七中將步驟六形成的金屬鉑膜圖形的陶瓷基片退火的溫度為800℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基片或陶瓷基片的柔性機械光刻剝離工藝方法，其特征在于，驟七中將步驟六形成的金屬鉑膜圖形的陶瓷基片退火的時間為2h。
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