[發明專利]一種OLED陣列基板的對置基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201310743033.0 | 申請日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103700683A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 齊永蓮;徐傳祥;王燦 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/28 | 分類號: | H01L27/28;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 陣列 置基板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED陣列基板的對置基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode,簡稱OLED)是一種有機薄膜電致發光器件,其具有制備工藝簡單、成本低、發光效率高、易形成柔性結構、視角寬等優點;因此,利用有機發光二極管的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。
通常,OLED顯示裝置分為底發射型和頂發射型兩種,其中頂發射型OLED的陣列基板包括金屬陽極、金屬陰極、位于金屬陽極和金屬陰極之間的有機層等結構,其中,有機層發出的光自金屬陰極一側射出陣列基板。
為了使得光可以自金屬陰極一側射出陣列基板,金屬陰極的厚度通常僅有數納米厚,使得金屬陰極的電阻較大,金屬陰極和金屬陽極共同驅動有機層發光時需要消耗較多的電能,并且發熱較大,容易影響陣列基板的正常工作。
在現有技術中,為了減小金屬陰極的電阻,該頂發射型OLED顯示裝置還包括陣列基板的對置基板,目前,主要是在對置基板上形成平坦保護層以及位于平坦保護層之上的多個突起,并在平坦保護層以及突起之上通過濺射等方式形成導電層,通過位于突起上的導電層與金屬陰極電連接實現導電層與金屬陰極的并聯,以減小金屬陰極的電阻。發明人在實現本發明的過程中發現,位于突起之上的導電層由于受到加工工藝的制約,容易出現與平坦保護層上的導電層斷開等不良現象,使得這種結構的對置基板結構較為復雜、加工成本高、產品良率低。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種OLED陣列基板的對置基板及其制備方法、顯示裝置,能夠簡化OLED陣列基板的對置基板的層結構,降低對置基板的制備難度,進而提高對置基板的生產良品率。
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:
本發明第一方面提供了一種OLED陣列基板的對置基板,包括平坦層、位于所述平坦層之上的突起,其中,所述平坦層和所述突起導電,所述突起與所述OLED陣列基板的電極電連接。
進一步的,所述突起與所述平坦層一體成型。
進一步的,所述對置基板還包括黑矩陣,所述平坦層位于所述黑矩陣之上,所述平坦層為彩色濾色層,所述突起對應于所述黑矩陣設置。
進一步的,所述對置基板還包括黑矩陣和彩色濾色層,其中,所述彩色濾色層位于所述黑矩陣之上,所述平坦層位于所述彩色濾色層之上,所述突起對應于所述黑矩陣設置。
進一步的,所述平坦層和所述突起的材質為透明導電樹脂。
在本發明實施例的技術方案中,由于OLED陣列基板的對置基板上的平坦層和突起均導電,在對置基板和陣列基板對盒之后,各突起電連接至OLED陣列基板的電極,相當于將平坦層并聯至OLED陣列基板的電極之上,由此,減小了OLED陣列基板的電極的電阻,同時,其對置基板不需要再通過濺射等方式形成導電層,簡化了對置基板的層結構,降低了對置基板的加工成本,提高了產品的良率。
本發明的第二方面提供了一種顯示裝置,包括OLED陣列基板,還包括上述的OLED的對置基板。
本發明的第三方面提供了一種OLED陣列基板的對置基板的制備方法,包括:
形成導電的平坦層;
在所述平坦層之上形成導電的突起,所述突起用于與所述OLED陣列基板的電極電連接。
進一步的,所述在襯底基板上形成導電的平坦層包括:
形成黑矩陣;
在所述黑矩陣之上形成為彩色濾色層的平坦層。
進一步的,所述形成導電的平坦層包括:
形成黑矩陣;
在所述黑矩陣之上形成彩色濾色層;
在所述彩色濾色層之上形成平坦層。
進一步的,所述突起對應于所述黑矩陣設置。
進一步的,所述突起與所述平坦層一體成型。
進一步的,所述平坦層和所述突起的材質為透明導電樹脂。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例中的OLED陣列基板的對置基板的結構示意圖一;
圖2為本發明實施例中的OLED陣列基板與其對置基板的配合示意圖;
圖3為本發明實施例中的OLED陣列基板的對置基板的結構示意圖二;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





