[發明專利]魔帝兜蘭盆花生產方法

有效

• 申請號: 201310742586.4
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103703994A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 鄭勇平;張陽;王越;蘇燁琴;袁穩
• 申請（專利權）人: 浙江森禾種業股份有限公司
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

1.?魔帝兜蘭盆花生產方法，其特征在于包括以下步驟：

1）基礎設施建設：建造保溫、抗災害的溫室，配備栽培床架、降溫加溫設備、催花設備、內循環風扇、防蟲網及遮陽系統；防蟲網孔徑為0.425-0.450mm；遮陽網為雙層，上層遮光率70-75%，下層遮光率70-75%；

2）煉苗：組培苗出瓶前在栽培場地馴化10-15天，以適應栽培場地的光溫條件，馴化不打開瓶蓋，避免染菌；

3）移栽：根據各地氣候特征，選擇適宜的出瓶時間；從組培瓶中取出組培苗，用清水洗凈根部培養基，盡快栽入栽培杯，栽培深度以基質完全遮蓋根系為度，栽培杯需留出上部約1/5-1/4空間；栽植好后，放置到栽培架，立即充分淋水，以栽培杯內培養基質充分清洗為度；加強通風，縮短葉面水分滯留時間；

?4）小苗期養護管理：出瓶移栽后的12個月為小苗期；栽植后1個月內每天在葉面噴灑清水1-2次，干燥季節噴灑清水2-3次，維持濕度在80-90%；1個月后，當植材7成干時以清水充分澆透栽培基質，施肥以葉面噴灑為主，栽植3-5天后可開始噴肥；栽植3個月后新根長出時可開始澆灌肥料，第一周光照強度控制在4500-5500lux左右，之后慢慢增強光照；三個月后強度控制在11000-13000lux左右，濕度80-85%，溫度22℃-28℃；

5）中、大苗期養護管理：小苗栽植12個月后，可見根系發育良好，新根生長正常，并產生2-3片新葉，便可以更換大的栽培杯；換杯后的10個月為中、大苗期，換杯后立即以清水充分澆灌，將盆內粉塵完全沖洗干凈，平時需保持栽培基質濕潤，植材在5成干時用清水充分澆透栽培基質，但應避免葉面長時間水分滯留；換盆一個月后可開始施肥，用2000-3000倍濃度澆灌栽培杯，灌滿為度，每澆兩次清水后施肥一次；光照強度維持在11000-13000lux，濕度80-85%，夜溫16℃-22℃，日溫不超過28℃；

?6）成熟催花期管理：經過中、大苗期的養護管理，植株完成營養生長，已經成熟，可以開始運用催花技術催花，促其花芽分化，形成花苞；初期使用N：P：K為9：45：15的花多多肥料3000倍澆3次，花多多微肥6000倍澆1次，每次施肥后澆2次清水；增加光照強度至15000-18000lux，濕度在90%以上，夜溫16～20℃，日溫保持在28℃以下；通過控制上述條件使兜蘭由營養生長轉化為生殖生長；

7）花期管理：當花苞出現花梗抽出約10-12cm時，停止肥料供應，增加澆水頻率，應避免過濕和直接噴水到花芽上；濕度保持在90%以上，光照強度降低至11000-12000lux，夜溫16～20℃，日溫維持28℃以下，選擇適當長度鐡線牽引花梗，避免花莖倒伏或彎曲。

2.?如權利要求1所述的魔帝兜蘭盆花生產方法，其特征在于步驟4）中：1個月后，栽植3-5天后可開始噴肥，采用水溶性促根肥2000-3000倍溶液噴灑葉面，所述的水溶性促根肥由重量比8-10：40-50：10-20的氮：磷：鉀組成，以葉面稍有水珠形成為度；栽植后2-3個月以平均肥輪流噴灑，所述的平均肥由重量比20：20：?20的氮：磷：鉀組成，每周兩次，在晴天午后進行；栽植3個月后，以水溶性的平均肥、高鉀肥及微量元素肥，三種輪流使用，濃度為2000-3000倍，每澆兩次清水后施肥一次；所述的平均肥由重量比20：20：?20的氮：磷：鉀組成，所述的高鉀肥由重量比10-12：25-35：20-25的氮：磷：鉀組成。

3.?如權利要求1所述的魔帝兜蘭盆花生產方法，其特征在于步驟5）中：換盆一個月后可開始施肥，以水溶性平均肥、高氮肥及微量元素肥三種輪流使用，所述的平均肥由重量比20：20：?20的氮：磷：鉀組成，所述的高氮肥由重量比30：10：10的氮：磷：鉀組成，所述的微量元素肥由硫肥13%、螯合態鐵7.5%、螯合態錳8.0%、螯合態鋅4.5%、螯合態銅2.3%、硼1.35%和鉬0.04%組成。

4.?如權利要求1所述的魔帝兜蘭盆花生產方法，其特征在于步驟6）中：施肥方式以水溶性高鉀肥、高磷肥或微量元素肥2000-2500倍濃度澆灌栽培杯，灌滿為度，三種肥輪流使用；所述的水溶性高鉀肥為N：P：K為10：30：20的花多多肥料，所述的高磷肥為N：P：K為9：45：15的花多多肥料，所述的微量元素肥為花多多36號微肥STEM；每澆一次清水后施肥一次。