[發明專利]半導體散熱結構在審
| 申請號： | 201310741780.0 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN104752375A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 林志曄;陳志明 | 申請（專利權）人： | 奇鋐科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中國臺灣新北市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 散熱 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體散熱結構，包括：
一半導體元件；
一蓋體，具有一第一側及一第二側與一輻射散熱層，通過該第一側覆蓋于前述半導體元件外部并與該半導體元件的一側接觸，所述輻射散熱層形成于該第二側。
2.如權利要求1所述的半導體散熱結構，其中所述蓋體為銅或鋁或銅及鋁的復合材料其中任一。
3.如權利要求1所述的半導體散熱結構，其中所述半導體元件與該蓋體通過膠合接合或無介質擴散接合其中任一方式相互貼合。
4.如權利要求1所述的半導體散熱結構，其中所述輻射散熱層為一種多孔結構或奈米結構體其中任一。
5.如權利要求1所述的半導體散熱結構，其中所述輻射散熱層通過微弧氧化或電漿電解氧化、陽極火花沉積，火花沉積陽極氧化其中任一于該殼體的第二側形成多孔性結構。
6.如權利要求1所述的散熱結構，其中所述輻射散熱層為通過珠擊所產生的凹凸結構。
7.如權利要求1所述的半導體散熱結構，其中所述輻射散熱層為一多孔性陶瓷結構或多孔性石墨結構其中任一。
8.如權利要求1或7的半導體散熱結構，其中所述輻射散熱層呈黑色或亞黑色或深色系的顏色其中任一。
9.如權利要求1所述的半導體散熱結構，其中所述輻射散熱層為一種高輻射陶瓷結構或高硬度陶瓷結構其中任一。
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