[發(fā)明專利]混煉裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310741624.4
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103895121A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設計）人: 大野博文;山根實
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: B29B7/94
• 分類號: B29B7/94
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及制造樹脂組合物時使用的混煉裝置。

背景技術(shù)

作為發(fā)光二極管等光半導體的密封用或反射器用的樹脂組合物，一直使用環(huán)氧樹脂組合物。作為該環(huán)氧樹脂組合物的制造方法，提出了生產(chǎn)效率好且連續(xù)生產(chǎn)的制造方法（例如，參見專利文獻1）。該制造方法中使用圖2所示的混煉裝置。即，該混煉裝置中，設有加熱單元H1的第一捏合機N1、與設有冷卻單元C1的第二捏合機N2連續(xù)串聯(lián)連接，在各捏合機N1、N2的上游部形成有供給口11、12，在所述第二捏合機N2的下游部形成有排出口13。并且，粉狀的環(huán)氧樹脂和液狀的固化劑預先混合，將所得混合物從第一捏合機N1的供給口11進行供給，利用加熱單元H1將該混合物進行加熱，同時利用第一捏合機N1的混煉用螺桿S1進行混煉。通過該加熱混煉，將所述混合物均勻地混煉。然后，將該混煉物送入第二捏合機N2。接著，從第二捏合機N2的供給口12供給粉狀的固化促進劑，利用冷卻單元C1將所述混煉物和固化促進劑進行冷卻，同時利用第二捏合機N2的混煉用螺桿S2進行混煉。通過該冷卻混煉，抑制環(huán)氧樹脂與液態(tài)固化劑的反應，同時固化促進劑充分且均勻地與這些混煉物進行混煉。接著，從排出口13排出該混煉物（環(huán)氧樹脂組合物）。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2002-121261號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問題

所述現(xiàn)有的環(huán)氧樹脂組合物的制造方法中，在供給到第一捏合機N1的供給口11之前，預先將粉狀的環(huán)氧樹脂和液狀的固化劑進行混合。其理由在于，單純地用捏合機將粉狀材料（環(huán)氧樹脂）和液狀材料（固化劑）進行混煉時，無法使二者均勻地進行分散，產(chǎn)生反應不均、灰分偏差，從而品質(zhì)不穩(wěn)定。而且，在供給到所述第一捏合機N1的供給口11之前的、粉狀的環(huán)氧樹脂與液狀的固化劑的混合，采取使用攪拌釜等每次混合規(guī)定量的分批式。

即，現(xiàn)有的環(huán)氧樹脂組合物的制造方法中，粉狀的環(huán)氧樹脂和液狀的固化劑預先進行混合，在將所得混合物供給到第一捏合機N1的供給口11后，可以進行連續(xù)生產(chǎn)，但如果算上在該供給前的、粉狀的環(huán)氧樹脂與液狀的固化劑的混合工序，則不是連續(xù)的生產(chǎn)。為了實現(xiàn)連續(xù)的生產(chǎn)而進行連續(xù)混煉時，如上所述，無法使制造出的環(huán)氧樹脂組合物的品質(zhì)保持穩(wěn)定。

本發(fā)明鑒于這種情況而作出，其目的在于提供一種混煉裝置，該混煉裝置可以使用捏合機將粉狀材料與液狀材料均勻地進行混煉，即使通過連續(xù)混煉來制造樹脂組合物，也可以使該樹脂組合物的品質(zhì)保持穩(wěn)定。

用于解決問題的手段

為了實現(xiàn)所述目的，本發(fā)明涉及以下（1）～（3）。

（1）一種混煉裝置，其特征在于，具備：

具有第一供給口和比第一供給口靠近下游側(cè)的第二供給口的捏合機；

與所述第一供給口連接、向捏合機內(nèi)供給粉狀材料的粉狀材料供給單元；

與所述第二供給口連接、在比捏合機內(nèi)的壓力高的壓力下向捏合機內(nèi)供給液狀材料的液狀材料供給單元；

設置于所述第一供給口與所述第二供給口之間、將從所述第一供給口供給的粉狀材料保持在不使其熔融的溫度的低溫保持單元；

設置于所述第二供給口與規(guī)定的下游部之間、為了將送入至所述第二供給口的部分的粉狀材料熔融而進行加熱的加熱單元；

相對于該加熱單元設置于下游側(cè)、將由所述加熱單元加熱后的混煉物進行冷卻的冷卻單元。

（2）如（1）所述的混煉裝置，其中，所述液狀材料為固化劑，所述粉狀材料為環(huán)氧樹脂、填充材料、抗氧化劑和固化促進劑。

（3）如（2）所述的混煉裝置，其中，利用所述低溫保持單元設定的溫度在5～50℃內(nèi)的范圍內(nèi)，利用所述加熱單元設定的溫度在100～170℃內(nèi)的范圍內(nèi)，利用所述冷卻單元設定的溫度在20～85℃內(nèi)的范圍內(nèi)。