[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310741603.2
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103715204A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 齊永蓮;惠官寶;宋泳錫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術

有機發(fā)光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode，簡稱OLED)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件，其具有制作工藝簡單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結構、視角寬等優(yōu)點；因此，利用有機發(fā)光二極管的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。

由于白光有機發(fā)光二極管(White?Organic?Light?Emitting?Diode，簡稱WOLED)的技術最為成熟，穩(wěn)定性好、制作工藝簡單，故在顯示裝置中獲得了廣泛應用。為使白光有機發(fā)光二極管能進行彩色顯示，其還要與彩膜(又稱彩色濾光層)配合使用。在白光有機發(fā)光二極管顯示裝置中，每個外界可見的最小像素點(即“可見像素”)由多個像素單元構成，每個像素單元中具有不同顏色的彩膜，從而不同像素單元的白光有機發(fā)光二極管發(fā)出的光在經(jīng)過彩膜后變?yōu)椴煌伾@些不同顏色的光混合成為“可見像素”發(fā)出的光。

發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，WOLED包括金屬陽極、導電層、位于金屬陽極和導電層之間的發(fā)光有機體，因此，陣列基板上除了包括薄膜晶體管單元的各層結構外，還包括彩膜和WOLED的各層結構，提高了陣列基板的層結構的復雜性，提高了陣列基板的制作難度，降低了陣列基板的生產(chǎn)良品率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠簡化陣列基板的層結構和制作工藝，降低陣列基板的制作難度，進而提高陣列基板的生產(chǎn)良品率。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：

本發(fā)明的第一方面提供了一種陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板之上的薄膜晶體管單元和彩膜，所述彩膜與所述薄膜晶體管單元的漏極電性連接，其中，所述彩膜導電。

所述的陣列基板還包括：位于所述彩膜和所述薄膜晶體管單元的漏極之間的第一絕緣層，所述第一絕緣層對應于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設置有第一過孔，所述彩膜通過所述第一過孔與所述漏極電性連接。

所述的陣列基板還包括：位于所述彩膜之上的有機層和導電層，所述彩膜與所述導電層配合共同驅動所述有機層發(fā)光。

所述彩膜之上形成有第二絕緣層，所述第二絕緣層設置有開口，所述有機層通過所述開口與所述彩膜電性連接。

所述的陣列基板還包括與所述彩膜配合的公共電極，以及位于所述彩膜和所述公共電極之間的第三絕緣層。

所述彩膜的材質(zhì)為透明導電樹脂。

在本發(fā)明實施例的技術方案中，采用了COA技術，將所述彩膜與所述薄膜晶體管單元都在同一襯底基板上形成，且使具有導電性能的彩膜與所述薄膜晶體管單元的漏極電性連接，使得彩膜相當于現(xiàn)有技術中的像素電極，使得該陣列基板與現(xiàn)有技術的陣列基板相比，至少減少了一層像素電極的結構，簡化了陣列基板的層結構，降低了陣列基板的制作難度，進而提高了陣列基板的生產(chǎn)良品率。

本發(fā)明的第二方面提供了一種顯示裝置，其特征在于，包括上述的陣列基板。

本發(fā)明的第三方面提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形以及與所述漏極電性連接的彩膜。

所述形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形以及與所述漏極電性連接的彩膜包括：

形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形；

在所形成的薄膜晶體管單元的漏極的上方形成彩膜，所述彩膜導電，所述彩膜與所述薄膜晶體管單元的漏極電性連接；或，

形成彩膜；

在所述彩膜的上方形成包括薄膜晶體管單元的漏極的圖形，所述彩膜導電，所述彩膜與所述薄膜晶體管單元的漏極電性連接。

在所形成的薄膜晶體管單元的圖形的上方形成彩膜，所述彩膜導電，所述彩膜與所述薄膜晶體管單元的漏極電性連接之前，還包括：

在所形成的薄膜晶體管單元的漏極之上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層對應于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設置有第一過孔，以使得所述彩膜通過所述第一過孔與所述漏極電性連接。

在所述彩膜的上方形成薄膜晶體管單元的漏極，所述彩膜導電，所述彩膜與所述薄膜晶體管單元的漏極電性連接之前，還包括：

在所述彩膜之上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層對應于所述第一絕緣層對應于所述薄膜晶體管單元的漏極的區(qū)域設置有第一過孔，以使得所述彩膜通過所述第一過孔與所述漏極電性連接。

所述的制作方法，還包括：