[發(fā)明專利]薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310740724.5
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103715094B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉圣烈;崔承鎮(zhèn);金熙哲;宋泳錫
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在平板顯示技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位，受到了人們的廣泛關(guān)注。

此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，薄膜晶體管的制備通常需要進(jìn)行柵金屬層掩膜、柵絕緣層掩膜、有源層掩膜、源漏金屬層掩膜、以及像素電極層掩膜等多次構(gòu)圖工藝，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。

然而，構(gòu)圖工藝的次數(shù)過多將直接導(dǎo)致產(chǎn)品的成本上升以及量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能降低，因此如何能夠進(jìn)一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P(guān)注的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管及制備方法、陣列基板及制備方法、顯示裝置，可減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，從而提高量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種薄膜晶體管的制備方法，所述方法包括通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成有源層、源極和漏極，且所述有源層、所述源極和所述漏極位于同一層。

可選的，所述通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成有源層、源極和漏極，具體包括：在基板上形成一層半導(dǎo)體薄膜，并在所述半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠；采用多色調(diào)掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的半導(dǎo)體有源層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)待形成的所述源極和所述漏極的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的所述半導(dǎo)體薄膜；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠；對所述半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行金屬化處理，使露出的所述半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)化為具有導(dǎo)體特性的薄膜，形成所述源極和所述漏極；對應(yīng)所述光刻膠完全保留部分的所述半導(dǎo)體薄膜未受金屬化處理影響，形成所述半導(dǎo)體有源層；采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。

進(jìn)一步可選的，對所述半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行金屬化處理的方法，具體包括：將具有露出的所述半導(dǎo)體薄膜的基板置于還原性氣氛中在200～400℃進(jìn)行熱處理；或，將具有露出的所述半導(dǎo)體薄膜的基板置于真空腔室中，采用氫氣等離子體或氧氣等離子體處理，其中，所述真空腔室內(nèi)的壓力為1000～2000mtorr，氣體流量為5000～15000sccm。

進(jìn)一步的，所述進(jìn)行金屬化處理的半導(dǎo)體薄膜為金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜采用呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料。

進(jìn)一步的，所述呈半導(dǎo)體特性的透明金屬氧化物材料包括銦鎵鋅氧化物(Indium?Gallium?Zinc?Oxide，簡稱IGZO)、銦鎵氧化物(Indium?Gallium?Oxide，簡稱IGO)、非晶態(tài)銦錫鋅氧化物(Indium?Tin?Zinc?Oxide，簡稱ITZO)、鋁鋅氧化物(Aluminium?Zinc?Oxide，簡稱AZO)中的至少一種。

優(yōu)選的，在形成有所述有源層、所述源極和所述漏極的基板上，通過一次構(gòu)圖工藝形成位于所述有源層、所述源極和所述漏極上方的柵絕緣層和柵極。

還提供一種陣列基板的制備方法，包括薄膜晶體管和像素電極的制備；所述薄膜晶體管的制備方法為上述的薄膜晶體管的制備方法。

可選的，通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成位于同一層的有源層、源極和漏極的同時，還形成與所述漏極電連接且同層的像素電極；其中，所述漏極與所述像素電極為一體結(jié)構(gòu)且具有相同的材料。