[發(fā)明專利]一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310740588.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN104751897A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛子恒;潘榮華;胡洪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/44
• 分類號(hào): G11C29/44;G11C16/34
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器，又稱為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)單地說，就是在斷電情況下能夠保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。隨著非易失性存儲(chǔ)器的相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用越來越廣泛。

非易失性存儲(chǔ)器在擦除操作的過程中非正常停止，例如非易失性存儲(chǔ)器所在芯片系統(tǒng)突然掉電、系統(tǒng)復(fù)位或者用戶可以發(fā)送暫停指令來暫停擦除操作，這些原因都有可能造成擦除區(qū)域的單元過擦除，并且過擦除會(huì)對(duì)擦除區(qū)域所在的物理存儲(chǔ)塊（BLOCK）提供漏電流。如果對(duì)擦除區(qū)域所在的物理存儲(chǔ)塊進(jìn)行編程操作，由于非易失性存儲(chǔ)器的同一個(gè)物理存儲(chǔ)塊的單元的位線是貫通的，這樣過擦除產(chǎn)生的漏電流會(huì)對(duì)編程過程產(chǎn)生影響，導(dǎo)致編程不成功或者發(fā)生編程錯(cuò)誤。

現(xiàn)有技術(shù)中，在編程指令譯碼成功后，直接進(jìn)行編程校驗(yàn)和編程操作，這樣很可能會(huì)由于過擦除產(chǎn)生的漏電流導(dǎo)致編程不成功或編程錯(cuò)誤，從而影響編程過程的正確性和穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中由于過擦除產(chǎn)生的漏電流導(dǎo)致編程不成功或編程錯(cuò)誤而影響編程過程的正確性和穩(wěn)定性的技術(shù)問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，包括：

對(duì)所述非易失性存儲(chǔ)器的預(yù)編程區(qū)域的編程指令進(jìn)行譯碼；

對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域所在的物理存儲(chǔ)塊進(jìn)行過擦除校驗(yàn)和過擦除修復(fù)操作；

對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域進(jìn)行編程校驗(yàn)和編程操作。

進(jìn)一步地，對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域所在的物理存儲(chǔ)塊進(jìn)行過擦除校驗(yàn)和過擦除修復(fù)操作，具體為：

對(duì)所述物理存儲(chǔ)塊的修復(fù)單元進(jìn)行過擦除校驗(yàn)并判斷是否通過所述過擦除校驗(yàn)，如果沒有通過所述過擦除校驗(yàn)，則對(duì)所述修復(fù)單元進(jìn)行過擦除修復(fù)操作并返回到對(duì)所述物理存儲(chǔ)塊的修復(fù)單元進(jìn)行過擦除校驗(yàn)并判斷是否通過所述過擦除校驗(yàn)；

如果通過所述過擦除校驗(yàn)，則判斷所述修復(fù)單元對(duì)應(yīng)的修復(fù)地址是否是所述物理存儲(chǔ)塊的最后一個(gè)修復(fù)地址；

如果是所述最后一個(gè)修復(fù)地址，則結(jié)束對(duì)所述物理存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)操作；

如果不是所述最后一個(gè)修復(fù)地址，則遞增或者遞減所述修復(fù)單元對(duì)應(yīng)的修復(fù)地址并返回到對(duì)所述物理存儲(chǔ)塊的修復(fù)單元進(jìn)行過擦除校驗(yàn)并判斷是否通過所述過擦除校驗(yàn)。

進(jìn)一步地，所述過擦除校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓為0伏。

進(jìn)一步地，所述過擦除校驗(yàn)的方法為將所述修復(fù)單元的閾值電壓與所述過擦除校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較；

當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓大于所述過擦除校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓時(shí)，所述修復(fù)單元通過所述過擦除校驗(yàn)；

當(dāng)所述修復(fù)單元的閾值電壓小于所述過擦除校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓時(shí)，所述修復(fù)單元沒有通過所述過擦除校驗(yàn)。

進(jìn)一步地，對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域進(jìn)行編程校驗(yàn)和編程操作，具體為：

對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域的預(yù)編程單元進(jìn)行編程校驗(yàn)并判斷是否通過所述編程校驗(yàn)，如果沒有通過所述編程校驗(yàn)，則對(duì)所述預(yù)編程單元進(jìn)行編程操作并返回到對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域的預(yù)編程單元進(jìn)行編程校驗(yàn)并判斷是否通過所述編程校驗(yàn)；

如果通過所述編程校驗(yàn)，則判斷所述預(yù)編程單元對(duì)應(yīng)的編程地址是否是所述預(yù)編程區(qū)域的最后一個(gè)編程地址；

如果是所述最后一個(gè)編程地址，則結(jié)束對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域的編程操作；

如果不是所述最后一個(gè)編程地址，則遞增或者遞減所述預(yù)編程單元對(duì)應(yīng)的編程地址并返回到對(duì)所述預(yù)編程區(qū)域的預(yù)編程單元進(jìn)行編程校驗(yàn)并判斷是否通過所述編程校驗(yàn)。

進(jìn)一步地，所述編程校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓為編程單元的閾值電壓。

進(jìn)一步地，所述編程校驗(yàn)的方法為將所述預(yù)編程區(qū)域的預(yù)編程單元的閾值電壓與所述編程校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較；

當(dāng)所述預(yù)編程區(qū)域的預(yù)編程單元的閾值電壓大于所述編程校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓時(shí)，所述預(yù)編程單元通過所述編程校驗(yàn)；

當(dāng)所述預(yù)編程區(qū)域的預(yù)編程單元的閾值電壓小于所述編程校驗(yàn)的基準(zhǔn)電壓時(shí)，所述預(yù)編程單元沒有通過所述編程校驗(yàn)。

本發(fā)明實(shí)施例提出的非易失性存儲(chǔ)器的編程方法，通過在預(yù)編程區(qū)域的編程指令成功譯碼后，加入對(duì)預(yù)編程區(qū)域所在的物理存儲(chǔ)塊的過擦除校驗(yàn)和過擦除修復(fù)操作，并且在對(duì)物理存儲(chǔ)塊的過擦除修復(fù)操作結(jié)束后再對(duì)預(yù)編程區(qū)域進(jìn)行編程校驗(yàn)和編程操作，這樣能夠消除由于過擦除產(chǎn)生的漏電流對(duì)編程過程的影響，從而保證了編程過程的正確性和穩(wěn)定性。

附圖說明