[發明專利]一種稀土永磁材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201310740581.8
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN104752013A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 鄧小霞;陳波;張法亮
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01F1/053
• 分類號: H01F1/053;H01F1/08
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種稀土永磁材料，其特征在于，該材料包括主相和輔相，所述輔相隔離或包覆于主相周圍；所述輔相包括第一輔相和第二輔相；

所述主相的組成為：R1_x1R2_y1Fe_{100-x1-y1-z1-u1}Co_z1B_u1，R1選自Pr和/或Nd；R2選自Dy、Tb和Ho中的至少一種，其中，x1、y1、z1、u1為質量百分比，且26%≤x1+y1≤34%，0.01%≤y1≤4%，0%≤z1≤6%，0.78%≤u1≤1.25%；

所述第一輔相的組成為：R3_x2R4_y2Fe_{100-x2-y2-z2-u2-v1}Co_z2B_u2M_v1，R3選自Pr和/或Nd；R4選自Dy、Tb和Ho中的至少一種，M選自Zr、Ga、Cu、Nb、Sn、Mo、Al、V、W、Si、Hf、Ti、Zn、Bi、Ta、In中的至少一種，其中，x2、y2、z2、u2、v1為質量百分比，且35%≤x2+y2≤82%，5%≤y2≤42%，0%≤z2≤40%，0%≤u2≤1.25%，0%≤v1≤10%；

所述第二輔相的組成為：R5_x3R6_y3Fe_{100-x3-y3-z3-u3-v2}Co_z3B_u3M_v2，R5選自Pr和/或Nd，R6選自Dy、Tb和Ho中的至少一種，M選自Zr、Ga、Cu、Nb、Sn、Mo、Al、V、W、Si、Hf、Ti、Zn、Bi、Ta、In中的至少一種，其中，x3、y3、z3、u3、v2為質量百分比，且10%≤x3+y3≤32%，0%≤y3≤4.8%，0%≤z3≤40%，0%≤u3≤1.25%，31%≤v2≤50%。

2.根據權利要求1所述的材料，其特征在于，以所述主相和輔相的總質量為基準，0wt%＜第一輔相≤25wt%。

3.根據權利要求2所述的材料，其特征在于，以所述主相和輔相的總質量為基準，0wt%＜第一輔相≤15wt%。

4.根據權利要求1所述的材料，其特征在于，以所述主相和輔相的總質量為基準，0wt%＜第二輔相≤20wt%。

5.根據權利要求4所述的材料，其特征在于，以所述主相和輔相的總質量為基準，0wt%＜第二輔相≤10wt%。

6.根據權利要求1所述的材料，其中，所述主相的組成中，x1、y1、z1、u1的質量百分比為：27%≤x1+y1≤33%，1%≤y1≤4%，1%≤z1≤3%，0.8%≤u1≤1.1%。

7.根據權利要求1所述的材料，其中，所述第一輔相的組成中，x2、y2、z2、u2、v1的質量百分比為：37%≤x2+y2≤68%，9%≤y2≤26%，0%≤z2≤18%，0%≤u2≤1.1%，0%≤v1≤8%。

8.根據權利要求1所述的材料，其中，所述第二輔相的組成中，x3、y3、z3、u3、v2的質量百分比為：10%≤x3+y3≤30%，0%≤y3≤4%，5%≤z3≤18%，0%≤u3≤1.1%，31%≤v2≤48%。

9.權利要求1-8任一項所述的稀土永磁材料的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

S1、按主相的配比將原料進行熔煉，得到主相鑄錠或速凝薄片；

S2、按第一輔相的配比將原料進行熔煉，得到第一輔相鑄錠或速凝薄片；

S3、按第二輔相的配比將原料進行熔煉，得到第二輔相鑄錠或速凝薄片；

S4、將主相鑄錠或速凝薄片、第一輔相鑄錠或速凝薄片和第二輔相鑄錠或速凝薄片進行破碎、制粉、混料、磁場取向壓制成型、并在真空或惰性氣氛中進行燒結和回火，得到所述稀土永磁材料。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述破碎的方法為氫碎，氫碎的條件為：將鑄錠或速凝薄片在0.06-1.5Mpa氫壓下，吸氫0.1-3h，在400-650℃下脫氫3-10h，得到氫碎粉。