[發明專利]新型PIN結構的薄膜有機光探測器及其制備方法與應用有效
| 申請號： | 201310740539.6 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103794726A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 靳志文;王吉政 | 申請（專利權）人： | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 劉元霞 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 新型 pin 結構 薄膜 有機 探測器 及其 制備 方法 應用 | ||
【說明書】：
技術領域
本發明涉及一種新型PIN結構的薄膜有機光探測器及其制備方法與應用。
背景技術
目前，公知的光電導探測器結構是由兩個水平電極以及中間的光敏感層組成。將光電導器件接成回路并加一個偏置電場，當入射光與探測器接觸時，探測器內部的光敏感層產生電子空穴對，電子空穴對在電場的作用下分離并被電極收集形成光電流，通過光電流的強度來表征光的強度與大小可以用來進行光檢測、圖像成像或生物傳感等方向。因此器件對光的敏感度相當重要，通常用兩個重要的參數來表征這樣的一種敏感度：響應度R和光電增益G。R表示產生的光電流與引入的光強度的一個比值，G表示的是器件每吸收一個光子器件內部流過的電荷。
這兩個值可以用下面的公式表示：
G表示光電增益：
R表示響應度(AW-1)：
其他四個同樣重要的參數可以用下面的公式表示：
P表示信噪比：
D*表示靈敏度(以jones為單位)：
LDR表示線性動態范圍(以dB為單位)：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
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