[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310739611.3
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103681788B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 林敏之;陳銘;陳偉;徐維;賴海波
• 申請（專利權）人: 上海貝嶺股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/64;H01L23/495
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 劉鋒;黃小棟

1.一種半導體器件，包括襯底、形成于所述襯底上表面的絕緣層、形成于所述絕緣層上的至少一個金屬互連層，其特征在于，所述半導體器件還包括形成于所述襯底下表面的至少一個金屬層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件具備有源區和非有源區，所述非有源區中形成有至少一個平板電容。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述平板電容包括相對設置的第一極板和第二極板，所述第一極板為在形成所述金屬互連層的刻蝕工序中通過調整刻蝕版圖而保留在所述非有源區中的一部分金屬，所述第二極板為在形成所述襯底下表面的金屬層的刻蝕工序中通過調整刻蝕版圖而保留在所述非有源區中的一部分金屬。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第一極板與所述半導體器件的封裝引腳中的輸入或輸出引腳相連，所述第二極板與所述半導體器件的封裝框架中的連接到接地端的晶座相接。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述第一極板與所述半導體器件的封裝引腳中的接地引腳相連，所述第二極板與所述半導體器件的封裝框架中的連接到輸入或輸出端的晶座相接。

6.一種半導體器件的制造方法，該方法包括在用于制造所述半導體器件的襯底的上表面上形成絕緣層，并在所述絕緣層上形成至少一個金屬互連層，其特征在于，該方法還包括在所述襯底的下表面上形成至少一個金屬層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，該方法還包括在所述半導體器件中配置有源區和非有源區，并在所述非有源區中形成至少一個平板電容。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述平板電容包括相對設置的第一極板和第二極板，所述方法包括如下步驟：

S1.在進行位于襯底上表面的所述金屬互連層的刻蝕工序時，通過調整刻蝕版圖，使得在所述非有源區中保留一部分金屬以形成所述第一極板；

S2.在進行位于襯底下表面的所述金屬層的刻蝕工序時，通過調整刻蝕版圖，使得在所述非有源區中保留一部分金屬以形成所述第二極板。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在步驟S2之后還包括，在對所述半導體器件進行封裝打線時，在其封裝框架上調整晶座的位置，使得所述晶座與所述第二極板相接。

10.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S2還包括：使得所述第二極板與所述金屬層位于所述有源區的部分存在電氣隔離。