[發明專利]Trench MOS器件的制造方法在審
| 申請號： | 201310739296.4 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN104752207A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 黃晨 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | trench mos 器件 制造 方法 | ||
1.一種Trench?MOS器件的制造方法，包括步驟：
提供漏極層；
對所述漏極層的表面進行離子注入，形成間隔排列的離子注入區，注入的離子類型與所述漏極層類型一致；
在所述漏極層表面形成Trench?MOS器件結構，所述Trench?MOS器件結構包括硅層，所述硅層注入的離子類型與所述漏極層類型相反，且所述硅層位于所述離子注入區的表面。
2.如權利要求1所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，所述Trench?MOS器件結構采用以下步驟形成，所述步驟包括：
在所述漏極層表面形成所述硅層；
對所述硅層進行刻蝕，形成溝槽，所述溝槽暴露出所述漏極層，并位于兩個離子注入區之間；
在所述溝槽內形成介質層，所述介質層緊貼所述硅層和漏極層；
在所述介質層的表面形成柵極，所述柵極填充滿所述溝槽；
對所述硅層進行離子注入，注入的離子類型與所述漏極層類型相反；
對所述硅層的表面進行離子注入，形成源極，注入的離子類型與所述漏極層類型一致。
3.如權利要求2所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，所述漏極層為N型外延層。
4.如權利要求3所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，對所述硅層進行P型離子注入，使形成的硅層為P型。
5.如權利要求4所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，形成的源極為N+型。
6.如權利要求2所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，所述漏極層為P型外延層。
7.如權利要求6所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，對所述硅層進行N型離子注入，使形成的硅層為N型。
8.如權利要求7所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，形成的源極為P+型。
9.如權利要求2所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，所述介質層為二氧化硅。
10.如權利要求2所述的Trench?MOS器件的制造方法，其特征在于，所述柵極為多晶硅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
