[發(fā)明專利]去除光罩上粘性污染顆粒的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310738660.5 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN104749875A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 施維;湯軼飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/80 | 分類號： | G03F1/80;G03F1/82;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 去除 光罩上 粘性 污染 顆粒 方法 | ||
1.一種去除光罩上粘性污染顆粒的方法，該方法包括：
對所形成的光罩圖形進(jìn)行檢測，當(dāng)發(fā)現(xiàn)有粘性污染顆粒時，在光罩表面涂布光阻膠層，并對所述光阻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成圖案化的光阻膠層，所述圖案化的光阻膠層覆蓋光罩上的鉻層；
采用包括氧氣和氯氣的等離子體刻蝕方法，去除光罩上的粘性污染顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用所述等離子體刻蝕方法去除光罩上的粘性污染顆粒的時間為50-600秒。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用所述等離子體刻蝕方法去除光罩上的粘性污染顆粒時，刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)壓力為2-15毫托。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，光罩區(qū)域包括芯片區(qū)域和切割道區(qū)域，當(dāng)所述光罩為相移光罩時，切割道區(qū)域表面為鉻層，所述圖案化的光阻膠層顯露出芯片區(qū)域，覆蓋切割道區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，光罩區(qū)域包括芯片區(qū)域和切割道區(qū)域，當(dāng)所述光罩為二元光罩時，切割道區(qū)域表面為鉻層，芯片區(qū)域為圖案化的鉻層，所述圖案化的光阻膠層與芯片區(qū)域和切割道區(qū)域表面的鉻層重合。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
