[發明專利]發光二極管封裝方法

在審

• 申請號: 201310738279.9
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN104393142A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 陳燕章
• 申請（專利權）人: 深圳市力維登光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/58
• 代理公司: 深圳市中聯專利代理有限公司 44274
• 代理人: 李俊

技術領域

本發明涉LED封裝技術領域，尤其涉及一種發光二極管封裝方法。

背景技術

隨著LED（發光二極管）照明技術的不斷發展，LED的生產規模在不斷擴大，LED的封裝技術是其在生產制造過程中的關鍵的一環。LED封裝是指發光芯片的封裝，相比集成電路封裝有較大不同。LED的封裝不僅要求能夠保護燈芯，而且還要能夠透光。所以LED的封裝對封裝材料有特殊的要求。

因此，亟需一種發光二極管封裝方法。

發明內容

本發明的目的是提供一種發光二極管封裝方法。

為了實現上述目的，本發明提供一種發光二極管封裝方法，包括如下步驟：

（1）至少提供一個基板，并在所述基板上開設用于容納LED芯片的凹腔；

（2）在所述凹腔的腔底和腔壁鍍上反射膜層，所述反射膜層為鎳銀合金，厚度為45～50nm；

（3）固晶工序，通過真空濺射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜層上成型厚度為0.01～0.18mm的導熱層，放置LED芯片于所述導熱層上，并進行焊接，其中焊接的溫度為260～280℃；

（4）在所述LED芯片的上方設置擴散增光層；

（5）在所述擴散增光層上設置封裝膠層，所述封裝膠層的上表面為呈圓弧狀。

所述反射膜層為鎳銀合金，且厚度為48nm。

所述擴散增光層為透明硅膠內包覆有玻璃微珠的結構。

所述表面封裝膠層的上表面為弧形結構。

與現有技術相比，本發明發光二極管封裝方法中，由于設置有所述導熱層，因此能夠具有較好的導熱性能，且設置有所述擴散增光層，能讓更多的光線照射出所述表面封裝膠層外，提高透光率。

通過以下的描述并結合附圖，本發明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發明的實施例。

附圖說明

圖1為本發明發光二極管封裝方法的流程框圖。

圖2為根據如圖1所示的發光二極管封裝方法制作出的發光二極管的結構示意圖。

具體實施方式

現在參考附圖描述本發明的實施例，附圖中類似的元件標號代表類似的元件。如上所述，如圖1和2所示，本發明提供的發光二極管封裝方法100，包括如下步驟：

S001至少提供一個基板，并在所述基板上開設用于容納LED芯片的凹腔；

S002在所述凹腔的腔底和腔壁鍍上反射膜層，所述反射膜層為鎳銀合金，厚度為45～50nm；

S003固晶工序，通過真空濺射方式在所述凹腔的腔底部的反射膜層上成型厚度為0.01～0.18mm的導熱層，放置LED芯片于所述導熱層上，并進行焊接，其中焊接的溫度為260～280℃；

S004在所述LED芯片的上方設置擴散增光層；

S005在所述擴散增光層上設置封裝膠層，所述封裝膠層的上表面為呈圓弧狀。

如圖2所示，根據本發明提供的發光二極管封裝方法100，所封裝出的發光二極管的結構示意圖，其包括：基板1、LED芯片2、反射膜層3、導熱層4、擴散增光層5及表面封裝膠層6，所述基板1上開設有用于安裝所述LED芯片2的凹腔（圖上未標識），所述凹腔為呈倒圓臺形狀，且所述凹腔的底部設置有所述導熱層4，所述導熱層4的厚度為0.01～0.18mm，所述LED芯片2設置在所述導熱層4的上表面，所述基板1的上表面及所述凹腔的腔壁均設置有所述反射膜層3，所述反射膜層3的厚度為45～50nm，所述導熱層4為設置在所述反射膜層3上，所述擴散增光層5設置在所述LED芯片2上表面，并將所述LED芯片2覆蓋，所述表面封裝膠層6覆蓋封裝于所述擴散增光層6上表面。

所述反射膜層3為鎳銀合金，且厚度為48nm。

所述擴散增光層為透明硅膠內包覆有玻璃微珠的結構。

所述表面封裝膠層的上表面為弧形結構。

結合圖1和2，本發明發光二極管封裝方法中，由于設置有所述導熱層，因此能夠具有較好的導熱性能，且設置有所述擴散增光層，能讓更多的光線照射出所述表面封裝膠層外，提高透光率。

以上所揭露的僅為本發明的優選實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利范圍，因此依本發明申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的范圍。