[發(fā)明專利]稀土厚膜電路電熱芯片及其制備工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310737978.1
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103716924A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王克政
• 申請（專利權(quán)）人: 王克政
• 主分類號: H05B3/10
• 分類號: H05B3/10;H05B3/12;H05B3/20
• 代理公司: 佛山東平知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44307
• 代理人: 詹仲國

1.一種稀土厚膜電路電熱芯片，其特征在于，它包括抑菌銅Cu+鋁復(fù)合金屬基板及其上制備的稀土厚膜電路，稀土厚膜電路包括稀土厚膜介質(zhì)層和彎曲盤繞多層疊加的稀土厚膜電阻電路、稀土厚膜控制電路、稀土厚膜電極銜接電路及稀土厚膜功能電路，稀土厚膜功能電路集成、組合銜接有分裂電子元器件、溫控元器件的輸出端口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土厚膜電路電熱芯片，其特征在于，所述抑菌銅Cu+鋁復(fù)合金屬基板為T2青銅Cu+和3系列鋁合金經(jīng)熱熔軋制和爆炸軋制復(fù)合而成；銅Cu+鋁復(fù)合基板材料復(fù)合重量比：（0.15-0.35）：（0.85-0.65）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的稀土厚膜電路電熱芯片，其特征在于，所述稀土厚膜電阻電路、稀土厚膜控制電路、稀土厚膜電極銜接電路及其稀土厚膜功能電路制備在鋁基材料上，T2青銅Cu+作為負(fù)荷承載面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的稀土厚膜電路電熱芯片，其特征在于，所述稀土厚膜介質(zhì)層是由稀土介質(zhì)漿料制備而成，稀土厚膜控制電路是由稀土熱敏電阻漿料制備而成，稀土厚膜功能電路由稀土電阻漿料制備而成，稀土厚膜電極銜接電路是由稀土電極漿料制備而成，電路表面包封層是由包封電子漿料制備而成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土厚膜電路電熱芯片，其特征在于，所述稀土介質(zhì)漿料由固相成分與有機(jī)溶劑載體組成，固相成分與有機(jī)溶劑載體的重量百分比包括：微晶玻璃粉70-85%，有機(jī)溶劑載體30-15%，微晶玻璃粉由SiO₂、Na₂O、B₂O₃、K₂O、BaO、CaO、Co₂O₃、TiO₂、P₂O₅、V₂O₅、Sb2₂O₃、Cr₂O₃及稀土氧化物組成，微晶玻璃粉的各原料占固相成分的重量百分比為20-55%,0-20%,0-20%,0-20%,1-10%,0-5%,0-5%,3-27%,0-5%,0-10%,0-5%,0-5%；有機(jī)溶劑載體為松油醇、丁基卡必醇醋酸酯、檸檬酸三丁酯、1.4-丁內(nèi)酯、硝基纖維素、乙基纖維素、氫化蓖麻油、卵磷脂的一種或多種，各原料占有機(jī)溶劑載體的重量百分比依次為：0-85%、0-85%、0-20%、2-20%、0.1-5%、0-3%、1-6%、0.1-5%、0.1-5%；稀土氧化物為鑭、鈰、釹、钷、釓、鉺、鈧、釔和氧化鋱中的一種或多種氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土厚膜電路電熱芯片，其特征在于，所述稀土電阻漿料由微晶玻璃粉、微細(xì)鋁粉、無機(jī)粘接相有機(jī)溶劑載體和稀土氧化物組成；微晶玻璃粉與微細(xì)鋁粉混合后與無機(jī)粘接相有機(jī)溶劑載體的重量百分比為（50-75）%：（15-40）%，其中，微細(xì)鋁粉與微晶玻璃粉之間的重量比為：（55-80）%：（20-45）%。微晶玻璃粉的配方按重量百分比包括：P₂O₅（35-55）%、ZnO（35-50）%、K₂O（5-10）%、B₂O₃（0-10）%、SnO₂（0-10）%、SiO₂（0-5）%、Li₂O（0-2）%、Al₂O₃（2-5）%、CuO（0-1.5）%；微細(xì)鋁粉粒度為：3-5μm；

無機(jī)粘接相有機(jī)溶劑載體的配方按重量百分比包括：松油醇75-98%，檸檬酸三丁酯0-15%，乙基纖維素0.5-5%，硝基纖維素0-2%，氫化蓖麻油0.1-5%，卵磷脂0.1-5%；

所述稀土氧化物為鑭、鈰、釹、钷、釓、鉺、鈧和釔中的一種或多種氧化物。