[發(fā)明專利]一種觸控顯示裝置及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310737829.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104750285A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱少鵬;平山秀雄;黃秀頎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國(guó)顯光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F3/041 | 分類號(hào): | G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀麗 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種觸控顯示裝置,包括基板、設(shè)置在基板上的多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管,所述有機(jī)發(fā)光二極管包括依次堆疊設(shè)置的第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極,第一電極靠近基板設(shè)置;其特征在于,
還包括依次堆疊設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光二極管上的第一封裝層、觸控層和第二封裝層;所述第一封裝層為多層交替設(shè)置的有機(jī)薄膜和無(wú)機(jī)薄膜的膜層;
所有所述有機(jī)發(fā)光二極管中所述第一電極獨(dú)立設(shè)置;
各行所述有機(jī)發(fā)光二極管中的所述第二電極沿第一方向同層串聯(lián)連接,形成若干第一導(dǎo)電單元;
所述觸控層包括若干沿第二方向平行排布的第二導(dǎo)電單元,所述第一導(dǎo)電單元與所述第二導(dǎo)電單元形成彼此絕緣的交叉網(wǎng)絡(luò)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述第一導(dǎo)電單元與所述第二導(dǎo)電單元圖案相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述觸控層的厚度為5~200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述第二電極的厚度為1~500nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述第一方向與所述第二方向垂直。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述第一導(dǎo)電單元與所述第二導(dǎo)電單元均為透明或半透明的導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述第一封裝層與所述第二封裝層均為包括多層交替設(shè)置的有機(jī)薄膜和無(wú)機(jī)薄膜的膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述第一封裝層的厚度為50nm~5μm;所述第二封裝層的厚度為50nm~5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述基板與所有所述有機(jī)發(fā)光二極管之間還設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路層,所述驅(qū)動(dòng)電路層中的電路用于驅(qū)動(dòng)所有所述有機(jī)發(fā)光二極管。
10.一種權(quán)利要求1-9任一所述的觸控顯示裝置的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1、在基板上形成獨(dú)立設(shè)置的第一電極,并在第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層;
S2、在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極,且第二電極沿第一方向同層串聯(lián)連接,形成平行排布的第一導(dǎo)電單元;
S3、在基板上形成覆蓋所有第一導(dǎo)電單元的第一封裝層;所述第一封裝層為多層交替設(shè)置的有機(jī)薄膜和無(wú)機(jī)薄膜的膜層;
S4、在第一封裝層上形成導(dǎo)電層,并圖案化形成若干沿第二方向平行排布的第二導(dǎo)電單元,第一導(dǎo)電單元與第二導(dǎo)電單元形成彼此絕緣的交叉網(wǎng)絡(luò);
S5、在基板上形成覆蓋所有第二導(dǎo)電單元的第二封裝層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置的制備方法,其特征在于,步驟S1之前還包括在基板上形成驅(qū)動(dòng)電路層的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示裝置的制備方法,其特征在于,步驟S4中所述第二導(dǎo)電單元還可以通過掩膜工藝或打印工藝直接形成。
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