[發明專利]一種集成無源器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310737683.4
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN104752151B
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 郭亮良;馬軍德
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種集成無源器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底的正面和背面分別形成有頂部氧化物層和底部氧化物層，在所述頂部氧化物層上形成的薄膜介質層中形成有集成無源器件；

實施成膠工藝形成熱膠層，以覆蓋所述薄膜介質層；

蝕刻部分所述底部氧化物層形成底部開口，以露出所述半導體襯底；

以所述底部開口為工藝窗口，蝕刻所述半導體襯底形成凹槽；

實施去膠工藝去除所述熱膠層，并在所述半導體襯底中形成腔室，所述腔室露出所述頂部氧化物層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述成膠工藝為紫外成膠或熱成膠，其工藝參數為：溫度35-45℃，滾軸速度7000-9000pps，壓力0.15-0.25mps。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱膠層由基膜、膠層和感光材料構成，所述半導體襯底的構成材料為非具有高阻抗的材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述部分底部氧化物層的蝕刻為干法蝕刻，其工藝參數為：蝕刻腔室中的上電極和下電極的功率均為1000-2000W，壓力為30-60mTorr，氣體CF₄的流量為50-100sccm，Ar的流量為200-300sccm，O₂的流量為10-20sccm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述底部開口的工藝步驟包括：通過旋涂、曝光、顯影工藝在所述底部氧化物層上形成具有所述底部開口的圖案的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，實施所述蝕刻，以在所述底部氧化物層中形成所述底部開口；通過灰化工藝去除所述光刻膠層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部開口的位置位于所述集成無源器件的構成元件的下方。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述集成無源器件的構成元件包括電阻、電容或電感。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述半導體襯底的蝕刻為干法反應離子蝕刻，其工藝參數為：蝕刻腔室中的上電極的功率為2000-3000W，下電極的功率為25-75W，氣體SF₆的流量為500-1500sccm，C₄F₈的流量為50-500sccm。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去膠工藝的工藝參數為：溫度25-35℃，撕膜速度7000-9000pps。

10.一種如權利要求1-9中的任一方法制造的集成無源器件，其特征在于，所述集成無源器件包括位于半導體襯底中的腔室。