[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310736307.3
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103715203A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

技術領域

本發(fā)明涉及顯示領域，具體地，涉及一種陣列基板以及該陣列基板的制造方法，以及一種包括所述陣列基板的顯示裝置。

背景技術

顯示裝置的顯示面板包括陣列基板，該陣列基板包括互相交錯的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線將陣列基板劃分為多個像素單元，每個像素單元內都設置有薄膜晶體管。傳統(tǒng)的陣列基板中的薄膜晶體管通常為非晶硅薄晶體管，而非晶硅薄膜晶體管的遷移率一般在0.5cmW·S左右。

近年來隨著平板顯示器尺寸的不斷增大，驅動電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足需求。例如，當液晶顯示器尺寸超過80英寸時，驅動頻率應當為120Hz，在這種情況下需要薄膜晶體管的遷移率在1cmW·S以上，因此，現(xiàn)在非晶硅薄膜晶體管的遷移率顯然很難滿足上述要求。

氧化物薄膜晶體管具有遷移率高、均一性好、透明、制作工藝簡單等優(yōu)點，可以更好地滿足大尺寸顯示器對薄膜晶體管遷移率的要求。

圖1中所示的是一種典型包括氧化物薄膜晶體管的陣列基板的剖視圖。由于氫鍵對金屬氧化物制成的有源層影響較大，因此，如圖1中所示，所述陣列基板包括位于氧化物薄膜晶體管的有源層10上方的刻蝕阻擋層20，氧化物薄膜晶體管的源極30和漏極40通過穿過刻蝕阻擋層20的過孔與氧化物薄膜晶體管的有源層10連接，從而可以防止在刻蝕氧化物薄膜晶體管的源極和漏極時，刻蝕液滲透進入有源層。

為了節(jié)約制造成本，通常采用二氧化硅制成刻蝕阻擋層20。但是，由于二氧化硅的致密性較差，所以在薄膜晶體管的源漏金屬層與刻蝕阻擋層之間存在汽包狀間隙。在對源漏金屬層進行刻蝕時，刻蝕液會沿著這種氣泡狀間隙滲入到數(shù)據(jù)線與刻蝕阻擋層的接觸面，這樣就會導致數(shù)據(jù)線上與薄膜晶體管的源極相接的部分被腐蝕，從而降低了陣列基板的總體質量。

因此，如何防止刻蝕液腐蝕數(shù)據(jù)線上與薄膜晶體管的源極相接觸的部分成為本領域亟待解決的技術問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法和包括所述陣列基板的顯示裝置。所述陣列基板中數(shù)據(jù)線上與薄膜晶體管的源極相接觸的部分不易被腐蝕。

為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線、多條柵線和多個氧化物薄膜晶體管，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述柵線互相交錯，將所述陣列基板劃分為多個像素單元，每個所述像素單元內均設置有所述氧化物薄膜晶體管，其中，所述陣列基板還包括至少設置在所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下方的氧化物層，該氧化物層的上表面與所述數(shù)據(jù)線的下表面相貼合。

優(yōu)選地，在每個所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊處均設置有所述氧化物層，所述氧化物層的寬度與所述數(shù)據(jù)線的寬度相同，所述氧化物層的長度與所述柵線的寬度相同。

優(yōu)選地，所述氧化物層對應于整條所述數(shù)據(jù)線。

優(yōu)選地，所述氧化物層和所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述氧化物薄膜晶體管的有源層上方設置有刻蝕阻擋層。

優(yōu)選地，所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極位于所述氧化物薄膜晶體管的有源層的上方，且所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極分別通過第一過孔和第二過孔與所述有源層相連，所述數(shù)據(jù)線穿過所述刻蝕阻擋層與所述氧化物層相貼合。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管的有源層包括源極覆蓋區(qū)、漏極覆蓋區(qū)和位于所述源極覆蓋區(qū)和所述漏極覆蓋區(qū)之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述氧化物層包括位于所述有源層一側且與所述源極覆蓋區(qū)連續(xù)的的源極氧化物層和位于所述有源層另一側且與所述漏極覆蓋區(qū)連續(xù)的的漏極氧化物層，所述薄膜晶體管的源極的下表面的一部分與所述源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述薄膜晶體管的漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合，所述刻蝕阻擋層的下表面與所述刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)貼合。

作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括：

形成包括柵線的圖形；

形成包括薄膜晶體管的有源層的圖形的步驟；

形成包括所述氧化物層的圖形；和

形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形，且至少所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下表面與所述氧化物層相貼合。