[發明專利]一種鮮食型甘薯優質高產栽培方法有效
| 申請號: | 201310735400.2 | 申請日: | 2013-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN103703991A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 房增國;李俊良 | 申請(專利權)人: | 青島農業大學 |
| 主分類號: | A01G1/00 | 分類號: | A01G1/00 |
| 代理公司: | 青島聯智專利商標事務所有限公司 37101 | 代理人: | 劉曉 |
| 地址: | 266109 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鮮食 甘薯 優質 高產 栽培 方法 | ||
技術領域
本發明屬于栽培方法技術領域,具體地講涉及一種鮮食型甘薯優質高產栽培方法。?
背景技術
中國是世界上最大的甘薯生產國,種植面積和總產分別約占世界總面積和總產的65%和85%。近年來,隨著人民生活水平的提高,保健意識愈來愈強,甘薯已經從糧食作物轉變為經濟作物,逐漸成為生活中調節口味、豐富菜籃子的保健食品,在人們的膳食結構中發揮著越來越大的作用。根據其塊根的品質特點和用途,甘薯主要分為鮮食型、淀粉型和色素型三種類型。據資料表明,鮮食型甘薯富含多種維生素及礦物質,特別是含有較多胡蘿卜素及豐富細膩的食用纖維,是兒童發育、老年保健和防治多種富貴病的營養保健品。因此,國內外對鮮食甘薯的需求量連年上升,并且開始注重其風味品質的優劣。但我國當前的甘薯栽培過程中,存在薯苗移栽時多采用澆窩水的栽培方法,并且春季經常遭遇干旱天氣,易出現甘薯生長前期緩苗慢的現象;存在忽視有機肥,偏重化肥,尤其是一次性基施氮肥的施肥方法,易出現生長中期地上部瘋長,后期脫肥早衰等現象,影響光合產物向薯塊轉移,導致薯塊產量不高,商品率低,品質不良等問題;再加上甘薯生產過程中較多地施用植物生長抑制劑、除草劑、農藥等農用化學品物質,不能滿足優質高產鮮食型甘薯生產的要求。?
現有技術中有關于甘薯高產栽培方法的研究,如專利號為201110310682.2的發明公開了一種甘薯高產栽培方法,其采用電熱萌芽、育苗和分壟理藤的步驟達到高產栽培的目的,但其只限于甘薯的產量,未涉及甘薯的品質指標(包括外觀商品性、礦物質含量、可溶性糖含量、維生素C含量、胡蘿卜素含量、膳食纖維含量等)改善及降低甚至消除植物生長抑制劑、除草劑、農藥等農用化學物質的施用等方面。?
發明內容
本發明的目的在于提供一種既能提高鮮食型甘薯產量又能保證其優良品質的甘薯栽培方法,其具體方案如下:?
一種鮮食型甘薯優質高產栽培方法,包括如下步驟:
A、選地,選排水暢通、土層深厚、無甘薯病害的生茬沙質土壤;
B、基施有機肥;
C、起壟,深耕25-30?cm,耙細,起壟面中間略凹陷的大壟,壟高30-35?cm,壟寬110-120cm;
D、鋪設滴灌帶,在步驟C中壟面中間凹陷處鋪設滴灌帶;
E、覆黑色地膜;
F、移栽;
G、膜下滴灌施肥,在甘薯生長的團棵期、封壟期、薯塊膨大期利用已經鋪設的滴灌帶進行膜下滴灌施肥,N、P2O5、K2O的用量分別為60-90?kg/hm2、50-90?kg/hm2、120-180?kg/hm2,N∶P2O5∶K2O為1∶0.8-1∶1.5-2,團棵期、封壟期和薯塊膨大期的肥料用量分別為2-3份、3-4份和3-4份。
進一步地,所述步驟F包括如下步驟:?
F1、采用雙排打孔器在覆膜壟面上打兩行相互交錯的孔穴,株距22-25?cm,行間距45-50?cm;
F2、在苗床上距苗基部3-5?cm將苗剪下,并將煉苗時間延長3-6天;
F3、用稀釋1000倍的多菌靈溶液浸泡高剪苗基部5-8分鐘后,把薯苗移栽于孔穴中。
進一步地,所述步驟A中土壤pH值為5.0-7.0。?
進一步地,所述步驟B中,在所選地塊表面均勻撒施腐熟好的有機肥。?
與現有技術相比,本發明的優點和積極效果如下:?
本發明根據甘薯需水需肥特性,分期進行滴灌施肥或澆水,起到提高薯苗成活率,防中期地上部瘋長,防后期脫肥早衰,消除植物生長抑制劑的使用,促進甘薯光合產物向薯塊轉移。
根據本發明方法栽培的甘薯比同等條件下傳統栽培方法薯塊增產15-30%;減少或消除農用化學物質(植物生長抑制劑、化學類農藥、除草劑等)的施用;薯塊外觀商品性好,內在品質指標(如可溶性糖、維生素C、胡蘿卜素、某些礦物質、粗纖維等)含量明顯改善;實現了鮮食型甘薯的優質高產的協調統一。?
具體實施方式
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