[發(fā)明專利]光檢測元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310733975.0 | 申請日： | 2013-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103915517A | 公開（公告）日： | 2014-07-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 樸起延;金華睦;孫暎丸;徐大雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/108 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓明星;劉奕晴 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 檢測 元件 | ||
1.一種光檢測元件，所述光檢測元件包括：
基板；
緩沖層，形成于所述基板上；
第一帶隙變化層，形成于所述緩沖層上的部分區(qū)域；
光吸收層，形成于所述第一帶隙變化層上；
肖特基層，形成于所述光吸收層上的部分區(qū)域；以及
第一電極層，形成于所述肖特基層上的部分區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述光檢測元件還包括形成于所述光吸收層上的頂層，并且所述肖特基層形成于所述頂層上的部分區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光檢測元件，其特征在于，所述光檢測元件還包括肖特基固定層，形成于所述肖特基層上，并沿著所述肖特基層的邊緣覆蓋所述肖特基層的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述光檢測元件還包括第二電極層，與所述第一帶隙變化層相隔而形成于所述緩沖層上，并與所述緩沖層歐姆接合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述基板為藍(lán)寶石基板、SiC基板、GaN基板、AlN基板、Si基板中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述緩沖層包括：形成于基板上的低溫GaN層和形成于所述低溫GaN層上的高溫GaN層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述第一帶隙變化層由Al含量互不相同的多個AlGaN層層積而構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述第一帶隙變化層由Al含量互不相同的多個AlGaN層和GaN層交替層積而構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的光檢測元件，其特征在于，所述光吸收層的能帶隙高于所述緩沖層的能帶隙，并且所述第一帶隙變化層的Al含量隨著接近上層而增加。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光檢測元件，其特征在于，所述光吸收層由AlxGa1-xN（0<x<0.7）層構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述第一帶隙變化層由In含量互不相同的多個InGaN層層積而構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光檢測元件，其特征在于，所述第一帶隙變化層由In含量互不相同的多個InGaN層和GaN層交替層積而構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的光檢測元件，其特征在于，所述光吸收層的能帶隙低于所述緩沖層的能帶隙，并且所述第一帶隙變化層的In含量隨著接近上層而增加。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光檢測元件，其特征在于，所述光吸收層由InyGa1-yN（0<y<0.5）層構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光檢測元件，其特征在于，所述光檢測元件還包括第二帶隙變化層，形成于所述光吸收層和所述頂層之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光檢測元件，其特征在于，所述第二帶隙變化層由Al含量互不相同的多個AlGaN層層積而構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光檢測元件，其特征在于，所述第二帶隙變化層由Al含量互不相同的多個AlGaN層和GaN層交替層積而構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的光檢測元件，其特征在于，所述頂層的能帶隙低于所述光吸收層的能帶隙，并且所述第二帶隙變化層的Al含量隨著接近上層而減少。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光檢測元件，其特征在于，所述頂層由摻雜有Mg的p-InzGa1-zN（0<z<1）層構(gòu)成，并且所述光吸收層由AlxGa1-xN（0<x<0.7）層構(gòu)成。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光檢測元件，其特征在于，所述第二帶隙變化層由In含量互不相同的多個InGaN層層積而構(gòu)成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
