[發(fā)明專利]等離子蝕刻裝置用硅部件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310733719.1 | 申請日： | 2013-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103903952B | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 菊池文武;中田嘉信 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子 蝕刻 裝置 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一種等離子蝕刻裝置用硅部件，其在等離子蝕刻裝置的反應(yīng)室內(nèi)部使用，所述等離子蝕刻裝置用硅部件的特征在于，
由多晶硅或準(zhǔn)單晶硅中的任一種構(gòu)成，
含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硼作為摻雜劑，
用EBSD法測定表面的結(jié)晶取向并求出以(001)、(101)、(111)為頂點的立體三角形內(nèi)的取向分布，通過連接各邊的二等分點與所述立體三角形的重心的線來將該立體三角形分割為三個區(qū)域、即(001)側(cè)區(qū)域、(101)側(cè)區(qū)域、(111)側(cè)區(qū)域，通過用全部測定點數(shù)除位于各區(qū)域內(nèi)的測定點數(shù)來求出在這些各區(qū)域內(nèi)所占的結(jié)晶取向分布的比例，且分布在(111)側(cè)區(qū)域內(nèi)的比例被設(shè)為70％以上，
氮濃度被設(shè)為7×1014atoms/cc以上4×1015atoms/cc以下的范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子蝕刻裝置用硅部件，其特征在于，
氧濃度為5×1017atoms/cc以下。
3.一種等離子蝕刻裝置用硅部件的制造方法，其特征在于，該方法為制造權(quán)利要求1或2所述的等離子蝕刻裝置用硅部件的方法，
所述方法具有：硅熔融液形成工序，形成硼的含量被設(shè)為1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范圍內(nèi)的硅熔融液；及單向凝固工序，使所述硅熔融液單向凝固，
所述單向凝固工序中的凝固速度被設(shè)為5mm/h以上10mm/h以下的范圍內(nèi)。
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