[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310733339.8
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103744041B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛德強;劉景順;連建宇;程玉權(quán);韋巍;劉培植
• 申請（專利權(quán)）人: 包頭市稀寶博為醫(yī)療系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: G01R33/34
• 分類號: G01R33/34;G01R33/36;G01R33/422
• 代理公司: 北京康盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11331
• 代理人: 張良

1.一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，包括功率分配器、上磁體和下磁體，其特征在于：還包括兩個縱向排列的射頻線圈單元、上射頻屏蔽層和下射頻屏蔽層，所述射頻線圈單元與所述功率分配器相連接；所述上射頻屏蔽層和所述下射頻屏蔽層分別位于所述射頻線圈單元的上下兩側(cè)，所述上射頻屏蔽層和所述下射頻屏蔽層的平面互相平行，并且分別安裝在上磁體和下磁體上；所述射頻線圈單元、上射頻屏蔽層和下射頻屏蔽層為中心對稱形狀。

2.如權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，其特征在于：所述兩個射頻線圈單元的幾何中心同所述上磁體和下磁體的主磁場中心在一條直線上。

3.如權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，其特征在于：上梯度盤和下梯度盤分別嵌入到所述上磁體和下磁體中，所述上梯度盤的下表面和所述下梯度盤的上表面分別與上磁體和下磁體外圍高度一致，所述上射頻屏蔽層和所述下射頻屏蔽層分別與所述上梯度盤和所述下梯度盤直接接觸。

4.如權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，其特征在于：所述上射頻屏蔽層和下射頻屏蔽層在四個角部位置開有尺寸相同的缺口，所述缺口在X方向尺寸范圍為200～400mm，Y方向的尺寸范圍為150～300mm。

5.如權(quán)利要求1至4任一項所述一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，其特征在于：所述上射頻屏蔽層和下射頻屏蔽層的材料采用雙面覆銅板或者銅板，其厚度范圍為0.1～2mm，其平面尺寸以不超過所述上磁體和下磁體的直徑。

6.如權(quán)利要求1所述一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，其特征在于：所述射頻線圈單元的結(jié)構(gòu)包括：外殼、線圈和金屬箔；非金屬材料的所述外殼的形狀為中心對稱形狀，與所述線圈的形狀相適應(yīng)；所述外殼的邊框中間設(shè)置有內(nèi)槽，外部纏繞有所述金屬箔的所述線圈布置在所述內(nèi)槽中。

7.如權(quán)利要求6所述一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，其特征在于：所述金屬箔的圈數(shù)為1～8圈，所述線圈為繞制方向相同的1～8圈的線圈，相鄰線圈之間用電容來進(jìn)行耦合，每圈線圈串聯(lián)有電容。

8.如權(quán)利要求6所述一種應(yīng)用于磁共振成像的射頻線圈裝置，其特征在于：所述金屬箔采用銅箔。