[發明專利]高導熱性金屬電路半導體制冷片及其加工方法

無效

• 申請號: 201310732993.7
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103682074A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 嚴圣軍;李權憲
• 申請（專利權）人: 江蘇天楹環保科技有限公司
• 主分類號: H01L35/02
• 分類號: H01L35/02;H01L35/32;H01L35/34
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.高導熱性金屬電路半導體制冷片，其特征在于至少包括兩層疊層式排列的具有類鉆碳鍍膜的金屬基板，在相鄰的兩層具有類鉆碳鍍膜的金屬基板之間設置若干半導體制冷晶粒和若干導流片，所述導流片分別焊接在類鉆碳金屬基板上，所述半導體制冷晶粒通過導流片串聯電連接。

2.根據權利要求1所述高導熱性金屬電路半導體制冷片，其特征在于所述具有類鉆碳鍍膜的金屬基板的厚度為0.5～5mm，具有類鉆碳鍍膜的金屬基板的導熱系數為10～475W/m.k。

3.根據權利要求1所述高導熱性金屬電路半導體制冷片，其特征在于所述具有類鉆碳鍍膜的金屬基板中金屬為鋁、銅、鋼、鐵、合金中的任意一種。

4.如權利要求1所述高導熱性金屬電路半導體制冷片的加工方法，其特征在于包括以下步驟：

1）通過刻蝕具有類鉆碳鍍膜的金屬基板上的導電層，使其裸露出蝕刻圖形的線路作為焊盤，將導流片焊接在焊盤上；

2）將分別焊接有導流片的兩塊具有類鉆碳鍍膜的金屬基板疊層式放置，并將焊接有導流片的具有類鉆碳鍍膜的金屬基板面相對布置；將一個N型半導體制冷顆粒和一個P型半導體制冷顆粒組成一個電偶對，電偶對的一面焊接在所述兩塊具有類鉆碳鍍膜的金屬基板的一塊鉆碳金屬基板的導流片上，該電偶對的另一面焊接在所述兩塊具有類鉆碳鍍膜的金屬基板的另一塊具有類鉆碳鍍膜的金屬基板的導流片上。