[發明專利]CMOS晶體管及其制作方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310732715.1
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103700632A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 姜春生
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本發明涉及觸摸屏技術領域，特別涉及一種CMOS晶體管及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

互補金屬氧化物半導體（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱COMS）由P型溝道金屬氧化物（Positive?Channel?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱PMOS）和N型溝道金屬氧化物（Negative?Channel?Metal?Oxide?Semiconductor，簡稱NMOS）共同構成，CMOS具有低功耗的特點，被廣泛應用于集成電路中。

現有技術中的通過六次掩模構圖工藝形成的底柵型薄膜晶體管包括：通過構圖工藝在襯底基板上形成包括柵電極、柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源漏電極、鈍化層、第一溝道以及像素電極的開關薄膜晶體管和同時形成的包括柵電極、鈍化層、第二溝道和像素電極的驅動薄膜晶體管，從而實現開關晶體管和薄膜晶體管的跳層連接，這樣的結構應用于顯示面板中時會增大功耗。

發明內容

本發明提供一種CMOS晶體管及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，其可以降低顯示面板的功耗。

為實現上述目的，本發明提供一種CMOS晶體管，該CMOS晶體管包括：位于襯底基板上方的第一區域和第二區域，所述第一區域包括：第一柵電極、第一有源層、第一源電極和第一漏電極；

所述第二區域包括：第二柵電極、第二有源層、第二源電極和第二漏電極；

其中，所述第一有源層中形成有第一摻雜離子，所述第二有源層中形成有第二摻雜離子，所述第一摻雜離子的濃度小于所述第二摻雜離子的濃度。

可選地，所述第一有源層與第一源電極和第一漏電極之間還形成有刻蝕阻擋層；所述第二有源層與第二源電極和第二漏電極之間還形成有刻蝕阻擋層。

可選地，所述第一有源層為氧化物材料層；所述第二有源層為氧化物材料層。

可選地，所述氧化物材料層為氧化鋅。

可選地，所述第一源漏電極通過第一過孔與所述第一有源層連接，所述第二源漏電極通過第二過孔與所述第二有源層連接。

為實現上述目的，本發明提供一種顯示面板，包括上述CMOS晶體管。

為實現上述目的，本發明提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

為實現上述目的，本發明提供一種CMOS晶體管的制作方法，該方法包括：

在襯底基板上形成第一柵電極、第二柵電極、第一有源層、第二有源層、第一源電極、第二源電極、第一漏電極以及第二漏電極；

通過摻雜工藝向所述第一有源層注入第一摻雜離子，并向所述第二有源層注入第二摻雜離子，所述第一摻雜離子的濃度小于所述第二摻雜離子的濃度。

可選地，在襯底基板上形成第一柵電極、第二柵電極、第一有源層、第二有源層、第一源電極、第二源電極、第一漏電極以及第二漏電極包括：

在襯底基板上通過構圖工藝形成第一柵電極、第二柵電極；

在形成有第一柵電極、第二柵電極的襯底基板上通過構圖工藝形成第一有源層、第二有源層；

在所述第一有源層、第二有源層上通過構圖工藝形成第一源電極、第二源電極、第一漏電極以及第二漏電極。

可選地，所述第一源電極、第二源電極、第一漏電極以及第二漏電極上還形成有平坦層；

所述通過摻雜工藝向所述第一有源層注入第一摻雜離子，并向所述第二有源層注入第二摻雜離子包括：

在所述平坦層上形成光刻膠層，所述光刻膠層包括：第一光刻膠區域和第二光刻膠區域，第一光刻膠區域與第一有源層相對設置，第二光刻膠區域與第二有源層相對設置；

通過第一光刻膠區域對第一有源層進行摻雜工藝，以使所述N離子注入所述第一有源層；

通過第二光刻膠區域對第二有源層進行摻雜工藝，以使所述N離子注入所述第二有源層；

去除所述光刻膠層。

可選地，在所述平坦層上形成光刻膠層具體包括：

在所述平坦層上涂覆光刻膠層；

采用半調掩模板對涂覆有光刻膠層的所述平坦層進行掩模板掩模、曝光和顯影，形成第一光刻膠區域和第二光刻膠區域。

可選地，所述光刻膠層的厚度為大于和/或等于3μm，所述第一光刻膠區域的厚度為1.7μm～2.3μm，所述第二光刻膠區域的厚度為0.7μm～1.3μm。

可選地，所述第一有源層和第二有源層由氧化物材料制成。

可選地，所述氧化物材料為氧化鋅。