[發(fā)明專利]一種帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金裝置及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310731228.3
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103741179B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 賈世星;姜理利;張龍;朱健
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: C25D3/48
• 分類號: C25D3/48;C25D7/12;C25D19/00;C25D21/10
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金裝置，包括石英缸（1）、在所述石英缸（1）內(nèi)裝有電鍍液（2），其特征在于：在電鍍液（2）中放置兩塊通過導線連接的金板（3），在所述兩塊金板（3）的之間固定硅片（4），在所述硅片（4）的正面與反面之間設有通孔（41），在所述兩塊金板（3）之間還設有磁力攪拌棒（5），所述金板（3）與硅片（4）分別與直流電源（6）連接，其中直流電源（6）的陽極與金板（3）連接，直流電源（6）的陰極與硅片（4）連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金裝置，其特征在于：在所述硅片（4）的正面與反面之間設有通孔（41），所述硅片（4）上的通孔（41）正對兩塊金板（3），所述兩塊金板（3）相對于硅片（4）軸對稱。

3.根據(jù)權利要求1所述的帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金裝置，其特征在于：所述通孔（41）的孔徑與硅片（4）的厚度比大于1:5，?所述硅片（4）的厚度大于300um。

4.根據(jù)權利要求1~3中任意一項所述的帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金裝置，其特征在于：所述磁力攪拌棒（5）固定在所述硅片（4）的正下方。

5.一種帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金方法：其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：在化學電鍍之前，采用濺射的方法在硅片的正、反面及通孔的側(cè)壁上沉積一層金屬種子層，金屬可以為金或銅，；

步驟2：在石英缸中放入電鍍液，并將兩塊金板用導線連接后固定在電鍍液中；

步驟3：將沉積后的硅片固定在兩塊金板的之間，將直流電源的陰極與硅片連接，將直流電源的陽極與金板連接；

步驟4：將磁力攪拌棒固定在兩塊金板之間，并將直流電源接通同時打開磁力攪拌棒的電源；

步驟5：磁力攪拌棒開始順時針和逆時針定時切換旋轉(zhuǎn)，硅片的正面、背面及通孔的上的金絡離子不斷地增加直至完成電鍍?。

6.根據(jù)權利要求5所述的帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金方法：其特征在于：所述步驟1中的金屬種子層為金種子層或銅種子層。

7.根據(jù)權利要求5所述的帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金方法：其特征在于：所述兩塊金板相對于硅片軸對稱。

8.根據(jù)權利要求5所述的帶通孔的半導體硅片的三維立體電鍍金方法：其特征在于：所述磁力攪拌棒固定在所述硅片的正下方。