[發明專利]一種OLED顯示面板及其制備方法有效
| 申請號: | 201310730899.8 | 申請日: | 2013-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN103700782A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 郭遠輝;王輝;王春;張一三 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板及其制備方法。
背景技術
與液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,簡稱LCD)相比,有機電致發光二極管器件(Organic?Light-Emitting?Diode,簡稱OLED)具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、發光效率高、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、以及可柔性顯示等優點,受到了產業界和科學界的極大關注。
OLED的基本結構包括設置在襯底基板10上的陽極20和陰極30、以及設置在所述陽極20和所述陰極30之間的有機材料功能層40。為了提高OLED的光輸出率,減少陽極20表面的發射損失,如圖1(a)和1(b)所示,可以在所述陽極20與所述襯底基板10之間或者所述襯底基板10外側設置增透膜50,利用薄膜的干涉相消來減少反射光,從而提高光輸出率。
此外,當所述襯底基板10為柔性襯底基板10時,由于柔性襯底基板10的表面粗糙度往往大于玻璃襯底基板的表面粗糙度,因此在彎折的情況下,很容易因為柔性襯底基板10表面的凹凸不平和應力作用而導致設置在所述柔性襯底基板10上的膜層的破裂或脫落。為了解決所述柔性襯底基板10與膜層之間的平整性問題,通常會在所述柔性襯底基板10與膜層之間設置緩沖層60,該緩沖層60與所述柔性襯底基板10和所述膜層均有較強的附著力。這類緩沖層60包括很多種,其中最重要的一種為例如光刻膠的具有光交聯基團的物質,這種物質的材料通過紫外光固化之后形成的高分子結構,不僅有助于改善所述柔性襯底基板10的表面平整度和附著力,而且還有助于改善抗水氧滲透性。
現有技術中,采用柔性襯底基板10的OLED顯示面板需要同時設置增透膜50和緩沖層60兩層結構,才可實現改善柔性襯底基板10表面平整度和增加光輸出率的作用,但這會導致OLED面板制備工藝的復雜化。
發明內容
本發明的實施例提供一種OLED顯示面板及其制備方法,可改善柔性襯底基板的表面平整度和抗水氧滲透性,并提高顯示面板的光輸出率。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案;
一方面,提供一種OLED顯示面板,包括設置在柔性襯底基板上的陽極和陰極、以及設置在所述陽極和所述陰極之間的有機材料功能層;所述顯示面板還包括設置在所述柔性襯底基板上并與所述柔性襯底基板接觸的一層網狀光輸出耦合層;其中,所述陽極、所述陰極、以及所述有機材料功能層均設置在所述網狀光輸出耦合層上;所述網狀光輸出耦合層、所述陽極和所述陰極、以及所述有機材料功能層構成微腔;所述微腔用于控制電致發光光譜的中心波長以及光輸出率;所述網狀光輸出耦合層的材料為具有高折射率且在可見光范圍內低吸收率的網狀高分子材料。
優選的,所述網狀光輸出耦合層的材料包括高分子三(8-羥基喹啉)鋁的衍生物。
進一步優選的,所述網狀光輸出耦合層的厚度在0-100nm之間。
可選的,所述陽極為透明電極或金屬電極;所述陰極為金屬電極;其中,所述陽極靠近所述網狀光輸出耦合層設置,且在所述陽極為金屬電極的情況下,所述陽極的厚度20-40nm在之間。
可選的,所述顯示面板還包括設置在所述柔性襯底基板上薄膜晶體管;其中,所述薄膜晶體管的漏極與所述陽極電連接。
可選的,所述顯示面板還包括柔性封裝基板或封裝薄膜。
另一方面,提供一種OLED顯示面板的制備方法,包括:在柔性襯底基板上形成一層網狀光輸出耦合層;在形成有所述網狀光輸出耦合層的基板上形成陽極和陰極、以及位于所述陽極和所述陰極之間的有機材料功能層;其中,所述網狀光輸出耦合層、所述陽極和所述陰極、以及所述有機材料功能層構成微腔;所述微腔用于控制電致發光光譜的中心波長以及光輸出率;所述網狀光輸出耦合層的材料為具有高折射率且在可見光范圍內低吸收率的網狀高分子材料。
優選的,所述網狀光輸出耦合層的材料包括高分子三(8-羥基喹啉)鋁的衍生物。
進一步優選的,所述網狀光輸出耦合層的厚度在0-100nm之間。
可選的,所述方法還包括在所述柔性襯底基板上形成薄膜晶體管;其中,所述薄膜晶體管的漏極與所述陽極電連接。
可選的,所述方法還包括形成柔性封裝基板或封裝薄膜。
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