[發明專利]一種易失存儲器的刷新方法及相關的易失存儲器的控制器

有效

• 申請號: 201310730859.3
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103915110B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 賴冠瑛
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司11111
• 代理人: 張金芝,楊穎

交叉引用

本發明要求于2012年12月28日申請的美國臨時申請61/746,682的優先權。

技術領域

本發明揭示的實施方式與在一易失存儲器上執行一刷新操作有關，特別的，基于易失存儲器的至少一參數在不同刷新類型中切換的刷新方法及相關的易失存儲器控制器。

背景技術

存儲器刷新是一種易失存儲器如動態隨機訪問存儲器(dynamic random access memory，DRAM)的信息保持技術。在DRAM芯片，通過在被看作是一存儲器單元一小電容上的電荷的存在與否存儲每一比特的邏輯值。隨著時間的流逝，該存儲器單元的電荷將泄漏。因此，若沒存儲器刷新，該存儲數據最后將丟失。總之，該存儲器刷新為自該易失存儲器讀取信息且馬上重寫該讀取信息至該易失存儲器且不進行修改。以這種方式，在該易失存儲器上的信息能被正確保留。

該刷新操作及該讀/寫操作不能被執行在該易失存儲器的同一存儲區域。因此，需要權衡存儲器刷新效率及數據訪問表現。需要一種創新的存儲器刷新設計，能夠自適應在不同的刷新類型中切換以使得該易失存儲器在一種刷新類型下具有更好的存儲器刷新效率且在另一種刷新類型下具有更好的數據訪問表現。即具有更好的綜合表現。

發明內容

在根據本發明的示范性的實施方式提供一種基于易失存儲器的至少一參數在不同刷新類型中切換的刷新方法及相關的易失存儲器控制器，解決了上述問題。

一種易失存儲器的刷新方法，該刷新方法包括：偵測該易失存儲器的至少一參數；依據該至少一參數，自多個候選刷新類型中選擇一個目標刷新類型；及依據該目標刷新類型，執行刷新操作于該易失存儲器上；其中，該候選刷新類型至少包括第一候選刷新類型及第二候選刷新類型，按照該第一刷新類型的每一刷新指令刷新該易失存儲器的第一部分的存儲庫，且按照該第二刷新類型的每一刷新指令刷新該易失存儲器的第二部分的存儲庫。該第一候選刷新類型為所有存儲庫刷新。該第二候選刷新庫類型為單一存儲庫刷新。該至少一參數包括該易失存儲器的溫度、刷新控制參數，該刷新控制參數被設置響應該易失存儲器的溫度、該易失存儲器的容量、一參數指示是否該易失存儲器的所有存儲庫都是閑置、一參數指示是否在一突發刷新窗口內的按照該第一候選刷新類型的預定數量的刷新指令已經被發出。

一種易失存儲器控制器，該易失存儲器控制器包括：用于偵測該易失存儲器的至少一參數的偵測單元；依據該至少一參數，自多個候選刷新類型中選擇一個目標刷新類型的選擇單元，及依據該目標刷新類型，執行刷新操作于該易失存儲器上的刷新單元；其中，該候選刷新類型至少包括第一候選刷新類型及第二候選刷新類型，按照該第一刷新類型的每一刷新指令刷新該易失存儲器的第一部分的存儲庫，且按照該第二刷新類型的每一刷新指令刷新該易失存儲器的第二部分的存儲庫。

本發明提出的刷新方法及控制器通過自適應/自動切換刷新類型能夠實現更好的系統綜合表現。

本發明通過優選實施例和附圖中示出的裝置通過以下詳細描述后，本領域中的一般技術人員依據本發明的發明精神實現本發明。

附圖說明

圖1揭示了依據本發明一實施方式的一種存儲器系統的方塊示意圖。

圖2揭示了依據本發明實施方式的一種刷新方法的流程圖。

圖3顯示了LPDDR3刷新所需的參數(每個容量)的表格。

圖4A-圖4B分別顯示了LPDDR2的標定刷新率及LPDDR3標定刷新率。

圖5揭示了依據本發明另一實施方式的一種刷新方法的流程圖。

圖6揭示了依據本發明第三實施方式的一種刷新方法的流程圖。

具體實施方式

在說明書及后續的申請專利范圍當中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。本領域一般技術人員應可理解，制造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的元件。本說明書及后續的申請專利范圍并不以名稱的視差來作為區別元件的方式，而是以元件在功能上的視差來作為區別的基準。在通篇說明書及后續的請求項當中所提及的「包含」系為一開放式的用語，故應解釋成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一詞在此系包含任何直接及間接的電氣連接手段。因此，若文中描述一第一裝置電性連接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接連接于該第二裝置，或透過其他裝置或連接手段間接地連接至該第二裝置。