[發明專利]一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法

無效

• 申請號: 201310729987.6
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103730350A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 翟陽;項藝;艾常濤
• 申請（專利權）人: 迪源光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 毛廣杰

技術領域

本發明涉及一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，適用于需要定向去除表面粗化圖形的材料，例如GaN、Al₂O₃等。

背景技術

材料表面粗化技術因其具有特殊的光學特性而被應用于LED等多個微電子制造領域。但在粗化表面生長金屬電極、ITO薄膜等其他膜層時，常常會把底面粗化圖形復制到后續膜層表面，特別是后續膜層較薄時，嚴重影響了后續膜層的質量以及器件外觀。因此，受這些影響限制，材料表面粗化技術無法大規模應用。

發明內容

針對現有技術中的問題，本發明提供一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，利用ICP刻蝕的修飾作用，通過調整粗化材料與掩膜（例如SiO2）材料的刻蝕選擇比，在光刻圖形的配合下，實現材料表面粗化圖形的定向去除，為后續膜層奠定光滑表面的制備基礎。

本發明提供一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，所述粗化材料的表面的粗化圖形通過刻蝕方法進行去除。

所述通過刻蝕方法去除的具體過程為：

步驟一：在粗化圖形的表面形成一層掩膜；

步驟二：在掩膜的表面形成一層光刻膠，并利用曝光掉需要去除的粗化圖形上方的光刻膠；

步驟三：利用刻蝕工藝，將需要去除的粗化圖形及其表面的掩膜刻蝕去除，并去除多余的掩膜和光刻膠，得到去除粗化圖形的粗化材料。

步驟一中所述掩膜的材料為光刻膠或SiO2。

步驟一中所述掩膜的厚度滿足至少覆蓋需要去除的粗化圖形。

所述粗化材料為GaN或Al₂O₃。

所述步驟三的刻蝕過程中粗化材料與掩膜之間的刻蝕速率選擇比為0.9:1～1:0.9。

所述步驟三的刻蝕過程中粗化材料與掩膜之間的刻蝕速率選擇比為1:1。

所述步驟三的刻蝕過程中刻蝕氣體的氣體流量為20?sccm～100sccm，壓力為3?mtorr～5mtorr，載臺溫度為0～20℃。

所述步驟三的刻蝕過程中背吹氦氣的壓力為3torr～5?torr，所述上點擊功率為250～350W，所述下電極功率為50～100?W。

所述步驟三的刻蝕過程中背吹氦氣的壓力為4torr，所述上點擊功率為300W，所述下電極功率為80?W。

本發明具有的優點在于：

本發明提供一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，填補了定向去除粗化圖形的技術空白，并且可以廣泛應用于薄膜沉積、刻蝕后的材料表面形貌處理。

本發明提供一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，可定向去除材料表面粗化圖形，解決了粗化表面生長薄膜不平滑的外觀問題，同時還解決了粗化表面生長金屬粘附力差的技術問題。

本發明提供一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，有效解決了粗化表面難以生長出理想結構薄膜的問題，并保留原粗化片提高光提取效率的優勢。

附圖說明

圖1是粗化材料表面的結構示意圖；

圖2是粗化材料表面制備掩膜的器件結構示意圖；

圖3是掩膜表面制備光刻膠的器件結構示意圖；

圖4是進行刻蝕的器件結構示意圖；

圖5是刻蝕后的器件結構示意圖；

圖6是未粗化圖形時生長ITO薄膜的形貌圖；

圖7是去除粗化圖形時生長ITO薄膜的形貌圖。

圖中：1-粗化材料；101-粗化圖形；2-襯底；?3-掩膜；4-光刻膠。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明，以使本領域的技術人員可以更好的理解本發明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發明的限定。

本發明提供一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，利用ICP刻蝕的修飾作用，通過調整粗化材料與掩膜（例如SiO₂）材料的刻蝕選擇比，以及在光刻圖形的配合下，實現材料表面粗化圖形的定向去除，為后續膜層奠定光滑表面的制備基礎。

本發明提供一種粗化材料表面粗化圖形的去除方法，使用ICP刻蝕機作為操作設備，定向去除材料表面的粗化圖形。本發明制作方法具體包括以下步驟：