[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310729612.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN104347694A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤本英俊;齊藤泰伸;吉岡啟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L29/772
• 分類號(hào): H01L29/772;H01L21/335
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

基板；

第1層，設(shè)在上述基板的第1面的上方，使用第1導(dǎo)電型的III族氮化物半導(dǎo)體形成；

第2層，設(shè)在上述第1層上，使用第2導(dǎo)電型的III族氮化物半導(dǎo)體形成；

第3層，部分地設(shè)在上述第2層的表面中的第1區(qū)域上，使用第1導(dǎo)電型的III族氮化物半導(dǎo)體形成；

柵極電極，一端處于上述第3層的表面上方，經(jīng)由上述第2層而另一端處于上述第1層內(nèi)，與上述第1層、上述第2層及上述第3層絕緣；

第1電極，連接于上述第3層；

第2電極，連接于上述第2層的表面中的上述第1區(qū)域以外的第2區(qū)域；以及

第3電極，設(shè)在與上述第1面相反側(cè)的上述基板的第2面上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

具有以上述第2層的上述第2區(qū)域?yàn)橄露巍⒁陨鲜龅?層的表面為上段的階差，

上述第1電極設(shè)在上述階差的上段，

上述第2電極設(shè)在上述階差的下段。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述階差的側(cè)面的下部由上述第2層構(gòu)成；

上述階差的側(cè)面的上部由上述第3層構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

上述第1電極及上述第2電極使用相同材料形成。

5.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還具備設(shè)在上述基板的第1面與上述第1層之間的緩沖層，

上述緩沖層具有將AlN和GaN交替地層疊而成的超晶格構(gòu)造、或者使AlGaN的Al含有比率逐漸變化而成的組分傾斜AlGaN層，

在上述緩沖層的中間部分含有Si或Ge。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

在基板的第1面的上方，使用第1導(dǎo)電型的III族氮化物半導(dǎo)體形成第1層；

在上述第1層上，使用第2導(dǎo)電型的III族氮化物半導(dǎo)體形成第2層；

在上述第2層的表面中的第1區(qū)域上，部分地使用第1導(dǎo)電型的III族氮化物半導(dǎo)體而形成第3層；

形成從上述第3層的表面起將上述第2層貫通而到達(dá)上述第1層的與上述第1層、上述第2層及上述第3層絕緣的柵極電極；

在上述第3層上形成第1電極；

在上述第2層的表面中的上述第1區(qū)域以外的第2區(qū)域上形成第2電極；

在與上述第1面相反側(cè)的上述基板的第2面上形成第3電極。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

上述第3層的形成具備如下步驟：

通過(guò)在上述第2層的表面上一邊導(dǎo)入第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)一邊使III族氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)而形成上述第3層的材料層；以及

將處于上述第2層的表面中的上述第2區(qū)域上的上述第3層的材料層有選擇地除去。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

上述第3層的形成具備如下步驟：

在上述第2層的表面中的上述第2區(qū)域上形成絕緣膜；以及

使用上述絕緣膜作為掩模，在上述第2層的表面中的上述第1區(qū)域上，一邊導(dǎo)入第1導(dǎo)電型的雜質(zhì)一邊使III族氮化物半導(dǎo)體有選擇地外延生長(zhǎng)。