[發明專利]一種硅基圓片級扇出封裝方法及其封裝結構

無效

• 申請號: 201310729414.3
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103681371A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 陳海杰;陳棟;張黎;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/48;H01L25/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種硅基圓片級扇出封裝方法，包括以下工藝步驟：

提供帶有陣列排布的IC芯片（200）的IC圓片（A2），在所述IC芯片（200）的電極（210）上形成垂直電極（210）的金屬柱/金屬塊陣列；

將完成金屬柱/金屬塊陣列的IC圓片（A2）的背面減薄并切割成單顆的帶有若干個金屬柱/金屬塊（300）的IC芯片（200）；

提供載體圓片（A1），將IC芯片（200）通過貼片膠（700）與載體圓片（A1）粘合；

用塑封料（400）塑封IC芯片（200）、金屬柱/金屬塊（300）和貼片膠（700），并減薄形成塑封層（410），金屬柱/金屬塊（300）的端面露出塑封層（410）；

在露出塑封層（410）的金屬柱/金屬塊（300）的端面設置再布線金屬層（500），在所述再布線金屬層（500）的終端的表面設置焊球凸點（600）；

將完成封裝的載體圓片（A1）減薄，并切割成單顆的硅基圓片級扇出封裝結構。

2.根據權利要求1所述的硅基圓片級扇出封裝方法，其特征在于：在所述IC芯片（200）的電極（210）上形成垂直電極（210）的金屬柱/金屬塊陣列，通過如下工藝步驟形成：

1）在IC圓片（A2）上涂覆光刻膠；

2）在光刻膠上通過曝光、顯影等光刻工藝在對應的電極（210）上形成光刻膠開口圖形；

3）在光刻膠開口圖形內電鍍金屬，并通過研磨去除光刻膠表面無效的金屬；

4）用去膠工藝去掉剩余的光刻膠，露出IC圓片（A2）上的金屬柱/金屬塊陣列。

3.一種如權利要求1或2所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：包括硅基本體（110）和帶有若干個電極（210）的IC芯片（200），每一所述電極（210）上設置若干個金屬柱/金屬塊（300），所述IC芯片（200）的另一面通過貼片膠（700）與硅基本體（110）連接；還包括塑封層（410），所述塑封層（410）將IC芯片（200）、IC芯片（200）上的金屬柱/金屬塊（300）和貼片膠（700）封裝于其內，所述金屬柱/金屬塊（300）的端面露出塑封層（410），并在其端面設置布線走向獨立的再布線金屬層（500），相鄰的所述再布線金屬層（500）向電極（210）外側延伸，并在所述再布線金屬層（500）的終端的表面設置焊球凸點（600），所述IC芯片（200）的電極（210）的節距L2小于焊球凸點（600）的節距L1。

4.根據權利要求3所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：所述再布線金屬層（500）的布線間距不小于20um。

5.根據權利要求4所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：所述再布線金屬層（500）的布線間距為25～30um。

6.根據權利要求3所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：所述硅基本體（110）呈平板狀。

7.根據權利要求3所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：所述金屬柱/金屬塊（300）的橫截面呈圓形、矩形、六邊形或多邊形。

8.根據權利要求3所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：所述焊球凸點（600）呈陣列排布。

9.根據權利要求8所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：所述焊球凸點（600）的節距L1為0.4mm或0.5mm。

10.根據權利要求3至9中任一項所述的硅基圓片級扇出封裝結構，其特征在于：所述IC芯片（200）為兩顆或兩顆以上，其型號相同或不同。