[發明專利]采用簡單化學氣相沉積法制備Sb摻雜p型ZnO薄膜的方法

有效

• 申請號: 201310729355.X
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN103695866A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 馮秋菊;劉洋;呂佳音;唐凱;李夢軻
• 申請（專利權）人: 遼寧師范大學
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40
• 代理公司: 大連非凡專利事務所 21220
• 代理人: 閃紅霞

1.一種采用簡單化學氣相沉積法制備Sb摻雜p型ZnO薄膜的方法，其特征在于按如下步驟進行：

a.?將鋅源和銻源按質量比為5：1充分混合制成反應源材料，所述鋅源為純度至少為99.99%的固態Zn粉，所述銻源為純度為99.999%的Sb₂O₃粉與純度為99.99%的Sb粉的混合物，Sb₂O₃粉與Sb粉的質量比為2：1；

b.?將反應源材料及襯底放入石英舟內，襯底位于反應源材料下方1.5cm處，然后再將石英舟放入化學氣相沉積系統生長室內的高溫加熱區，生長室內的壓力為10Pa，生長溫度為600℃，載氣為流量300sccm的高純氬氣，氧氣流量為20sccm，生長時間為30分鐘；

c.?關閉氧氣，保持氬氣流量，生長溫度降溫至300℃以下后，即可取出制品。

2.根據權利要求1所述的采用簡單化學氣相沉積法制備Sb摻雜p型ZnO薄膜的方法，其特征在于將所得制品在750℃的溫度下氧氣中進行退火，退火時間為10～90分鐘。