[發(fā)明專利]一種基于MoO3／Ag陽(yáng)極的有機(jī)太陽(yáng)能電池及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310729340.3
• 申請(qǐng)日: 2013-12-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103715356B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張春福;王之哲;陳大正;陸小力;郝躍;魏煒;高汭;孫麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種基于MoO₃／Ag陽(yáng)極的有機(jī)太陽(yáng)能電池，其特征在于：自下而上依次包括厚度為1mm的玻璃襯底，厚度為2-10nm的MoO₃中間層和厚度為7-13nm的Ag層，厚度為10nm的MoO₃空穴傳輸層，厚度為80-100nm的P3HT∶PCBM有效層，厚度為100nm的Al陰極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于MoO₃／Ag陽(yáng)極的有機(jī)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)對(duì)玻璃襯底進(jìn)行清洗；

(2)把樣品放入集成的多源多室鍍膜系統(tǒng)的金屬室內(nèi)，用熱蒸發(fā)的方式在所述玻璃襯底上蒸鍍厚度為2-10nm的MoO₃中間層，金屬室的真空度為5×10^-4Pa；

(3)用熱蒸發(fā)的方式在所述MoO₃中間層上蒸鍍厚度為7-13nm的Ag層，金屬室的真空度為5×10^-4Pa；

(4)用熱蒸發(fā)的方式在所述Ag層上蒸鍍厚度為10nm的MoO₃空穴傳輸層，金屬室的真空度為5×10^-4Pa；

(5)把3-己基噻吩的聚合物(P3HT)和富勒烯的衍生物(PCBM)分別溶于1，2-氯苯中形成濃度為18mg／ml的溶液，再按體積比1∶0.8配置成混合液；

(6)把樣品移至手套箱里的甩膠臺(tái)上，通過(guò)甩膠旋涂上述P3HT∶PCBM混合液的方式在所述MoO₃空穴傳輸層上得到厚度為80-100nm的P3HT∶PCBM有效層，甩膠臺(tái)的轉(zhuǎn)速為1200rpms，時(shí)間為60s；

(7)把樣品從手套箱移回集成的多源多室鍍膜系統(tǒng)的金屬室內(nèi)，用電子束蒸發(fā)的方式在所述P3HT∶PCBM有效層上蒸鍍厚度為100nm的Al陰極層，金屬室的真空度為5×10^-4Pa；

(8)把樣品從金屬室移至手套箱(氮?dú)夥諊?里，進(jìn)行退火操作。退火溫度為140-150℃，時(shí)間為10-15min。