[發明專利]低溫多晶硅薄膜及其制備方法、晶體管

有效

• 申請號: 201310728614.7
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN103700695B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 張隆賢
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/04
• 分類號: H01L29/04;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,黃進

1.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，包括生長非晶硅薄膜層(3)的步驟，其特征在于，首先在所述非晶硅薄膜層(3)上生長一氧化硅層(4)；然后在所述氧化硅層(4)上制備多個凹形弧面(401)，所述凹形弧面(401)可使垂直照射于所述氧化硅層(4)的光束發生折射；最后采用準分子激光束(5)從所述氧化硅層(4)照射到所述非晶硅薄膜層(3)上，使所述非晶硅薄膜層結晶(3)形成低溫多晶硅薄膜；

該方法具體包括步驟：

(a)提供一基板(1)，在所述基板(1)上制備一緩沖層(2),所述緩沖層(2)的材料為氧化硅；

(b)在所述緩沖層(2)上制備一非晶硅薄膜層(3)，對所述非晶硅薄膜層(3)進行高溫去氫處理；

(c)在所述非晶硅薄膜層(3)上制備一氧化硅層(4)，并通過刻蝕工藝在所述氧化硅層(4)上制備多個凹形弧面(401)；所述凹形弧面(401)陣列分布于所述氧化硅層(4)，相鄰兩個凹形弧面(401)的距離為300～600μm，所述凹形弧面(401)的外周呈圓形，直徑為10～20μm，所述凹形弧面(401)深度為150～200nm；

(d)采用準分子激光束(5)從所述氧化硅層(4)照射到所述非晶硅薄膜層(3)上，使所述非晶硅薄膜層(3)結晶形成低溫多晶硅薄膜；

(e)在結晶形成低溫多晶硅薄膜后去除所述氧化硅層(4)。

2.一種低溫多晶硅薄膜，其特征在于，采用如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法的所制得。

3.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板，

形成于所述基板上的半導體層，所述半導體層由權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜構成，所述半導體層包括源極區、漏極區以及位于所述源極區和漏極區之間的溝道區；

柵絕緣層以及柵極，依次形成于所述半導體層之上，所述柵絕緣層用于隔離所述柵極與所述半導體層，所述柵極對應于所述溝道區的位置；

介電層，形成于所述柵絕緣層以及柵極上方，所述介電層中設置有第一過孔和第二過孔，源電極通過所述第一過孔與所述源極區連接，漏電極通過所述第二過孔與所述漏極區連接。