[發明專利]低溫多晶硅薄膜的預清洗方法及其制備方法、制作系統

有效

• 申請號: 201310728592.4
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN103681244A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 張隆賢
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/08
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 楊林;李友佳

1.一種低溫多晶硅薄膜的預清洗方法，其特征在于：其包括加熱一非晶硅層使之溫度高于室溫，并對所述非晶硅層進行預清洗。

2.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：在基板（60）上從下至上依次生長緩沖層（70）和非晶硅層（80）；

步驟二：加熱所述非晶硅層（80）使之溫度高于室溫，并對所述非晶硅層（80）進行預清洗；

步驟三：采用準分子激光束（30）照射步驟二預清洗后的非晶硅層（80），使所述非晶硅轉化為多晶硅。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟二中所述非晶硅層（80）溫度為25～40℃。

4.根據權利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟二中非晶硅層（80）包括相對厚度大的第一區域，以及相對厚度小的第二區域，所述第一區域的加熱溫度高于第二區域。

5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述預清洗采用的清洗劑為質量濃度1～3%的氫氟酸水溶液。

6.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述氫氟酸預清洗的時長為45～60s，用量為40～60L/min。

7.一種如權利要求2～6任一項所述低溫多晶硅薄膜的制作系統（100），其包括樣品臺（10），以及

對應設置于所述樣品臺（10）上方的外延生長裝置（20），用于在所述樣品臺（10）上生長非晶硅層（80）；

對應設置于所述樣品臺（10）上方的準分子激光束（30），用于將置于所述非晶硅層（80）轉化為多晶硅層（90）；其特征在于，還包括，

對應設置于所述樣品臺（10）上方的預清洗裝置（40），用于對所述非晶硅層（80）進行預清洗；

裝設于所述樣品臺（10）上的溫控裝置（50），用于所述非晶硅層（80）進行加熱。

8.根據權利要求7所述制作低溫多晶硅薄膜的系統（100），其特征在于，所述預清洗裝置（40）包括若干個均勻布設的噴淋頭（41）。

9.根據權利要求7所述制作低溫多晶硅薄膜的系統（100），其特征在于，所述溫控裝置（50）包括若干個均勻布設的發熱組（51），且每個發熱組（51）具有獨立的調溫器（53）及溫度監測器（52）。

10.根據權利要求9所述制作低溫多晶硅薄膜的系統（100），其特征在于，所述發熱組（51）為電阻塊（51A）或電阻絲（51B）。