[發(fā)明專利]一種液晶顯示陣列基板及制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310728578.4
• 申請(qǐng)日: 2013-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN103760694B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐向陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/13
• 分類號(hào): G02F1/13
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建,劉華聯(lián)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體說，涉及一種液晶顯示陣列基板及制作方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)今的平板顯示器技術(shù)中，液晶顯示器（LCD）可以說是其中最為成熟的技術(shù)，尤其是TFT-LCD。液晶顯示器包括以矩陣形式設(shè)計(jì)的陣列基板，以及驅(qū)動(dòng)這些陣列基板的驅(qū)動(dòng)電路，通過液晶盒內(nèi)電場(chǎng)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)液晶分子的偏轉(zhuǎn)，從而達(dá)到顯示效果。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，TFT器件的尺寸越來(lái)越小，LCD的分辨率越來(lái)越高，因此要求金屬線寬也越來(lái)越窄。對(duì)于現(xiàn)有工藝水準(zhǔn)，線寬變窄直接帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)就是短路和斷路?，F(xiàn)有技術(shù)中，陣列的短/斷路測(cè)試攔截率與LCD的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有很大的關(guān)聯(lián)。當(dāng)柵極線（Gate線）和數(shù)據(jù)線（Data線）兩端都處于斷路狀態(tài)時(shí)，短/斷路的檢出率幾乎高達(dá)100%。而公共電極線采用網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的話，如附圖1所示，由公共電極主干線（Com?Bus）101和兩端分別與之相交的公共電極支線（Com?Line）102構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)，公共電極出口線在圖中用103表示。當(dāng)發(fā)生斷開和短路缺陷時(shí)，很難被檢出。尤其是發(fā)生斷路時(shí)，公共電極線上各個(gè)點(diǎn)的電壓基本相同，因此在基板陣列制程工藝中，很容易將這類缺陷忽略，而漏放到液晶屏制作工程和模塊組裝工程中。這種缺陷沒有及時(shí)修復(fù)，在后續(xù)制程中就會(huì)容易發(fā)生水平淡線等線不良。而在液晶屏制作工程和模塊組裝工程中出現(xiàn)的線不良一旦發(fā)生，將很難修復(fù)，就只能做報(bào)廢處理或降等出貨。

因此，需要提供一種能夠在陣列基板制程中就能有效地檢出公共電極線中出現(xiàn)短/斷路缺陷，尤其是斷路缺陷的設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示器的陣列基板，其包括：第一柵線，并行地布置在基板上用于向顯示面板傳輸掃描信號(hào)；數(shù)據(jù)線，與所述第一柵線不同層地布置在所述基板上但在走向上與所述第一柵線垂直，其用于向顯示面板傳輸源極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；具有框架結(jié)構(gòu)的公共電極主干線和從公共電極主干線延伸出的出口線；以及，與公共電極主干線相交的公共電極支線，其中，在所述支線與所述主干線相交的位置處還設(shè)置開關(guān)元件，其用于在制作陣列基板階段保持所述支線與所述干線斷開的狀態(tài)，而工作時(shí)保持所述支線與所述干線短接的狀態(tài)，以使得所述支線上每點(diǎn)的電壓與所述主干線上的電壓相同。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述開關(guān)元件為TFT薄膜晶體管。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述TFT薄膜晶體管的柵極連接在一起形成第二柵線。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二柵線與所述出口線并行地一同延伸到扇出區(qū)，并在其上形成第二柵線輸入端和公共電極線輸入端。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二柵線的輸入端連接到基板上提供電源的集成電路的V_gh電壓輸出端上。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種液晶顯示器的陣列基板的制作方法，其包括以下步驟：

在基板的一層上形成若干條平行的柵線；

在基板的另一層上形成若干條數(shù)據(jù)線，其方向與所述柵線垂直；

在基板的第三層上形成具有框架結(jié)構(gòu)的公共電極主干線、從公共電極主干線延伸出的出口線和兩端與公共電極主干線相交的公共電極支線，其中在相交處形成開關(guān)元件。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在相交處形成開關(guān)元件包括形成TFT薄膜晶體管。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，將所述TFT薄膜晶體管的所有柵極連接起來(lái)形成第二柵線。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第二柵線與其中一公共電極線一同延伸到扇出區(qū)，并在其上形成第二柵線輸入端和公共電極線輸入端。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，將所述第二柵線的輸入端連接到基板上提供電源的集成電路的V_gh電壓輸出端上。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1顯示了現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板公共電極線路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)圖；

圖2顯示了圖1所示的公共電極線路出現(xiàn)斷路缺陷的示意圖；

圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的TFT陣列基板的公共電極線的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)圖；以及

圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制作TFT陣列基板的方法流程圖。

具體實(shí)施方式