[發明專利]半導體元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201310727475.6
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN104752315A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 邱建嵐
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體元件的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一襯底；

在該襯底上形成一介電層，該介電層包括第一部分與第二部分，該第一部分鄰接于該襯底，該第二部分鄰接于該第一部分；以及

以三氟化氮處理該介電層，移除該介電層的該第二部分，暴露出該介電層的該第一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中該介電層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其組合；該介電層包括內層介電層、金屬層間介電層或保護層。

3.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中該以三氟化氮處理該介電層的步驟包括在該介電層的該第一部分的一表面部分植入氮與氟，以形成一表面植入氮與氟的部分；

其中，該表面植入氮與氟的部分與該介電層的第一部分的厚度比值為1/150至1/14。

4.根據權利要求3所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中該表面植入氮與氟的部分的厚度為1至250埃。

5.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中該第二部分的厚度為50埃至1000埃。

6.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其中以三氟化氮處理該介電層的步驟包括調控至少一工藝參數，該工藝參數包括射頻功率、三氟化氮氣體流量、載體氣體流量、氨氣氣體流量、氬氣氣體流量或其組合；

其中，該載體氣體包括氦氣；該射頻功率為20至200W；該三氟化氮氣體流量為35至250sccm；該載體氣體流量為20至2,400sccm；該氨氣氣體流量為0至300sccm；該氬氣氣體流量為100至1,000sccm。

7.根據權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其特征在于其還包括在暴露的該介電層的該第一部分上形成至少一材料層；該至少一材料層包括抗反射涂布層、光阻層或其組合。

8.一種半導體元件，其特征在于其包括：

一襯底；以及

一介電層，位于該襯底上，該介電層包括一表面部分，該表面部分植入有氮與氟，且該表面植入氮與氟的部分與該介電層的厚度比值為1/150至1/14。

9.根據權利要求8所述的半導體元件，其特征在于其中該介電層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其組合；該介電層包括內層介電層、金屬層間介電層或保護層。

10.根據權利要求8所述的半導體元件，其特征在于其還包括至少一材料層，位于該介電層上；該至少一材料層包括抗反射涂布層、光阻層或其組合。