[發明專利]帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路及仿真方法

有效

• 申請號: 201310726976.2
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN104753523B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 王正楠
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094;G06F17/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路，其特征在于：包含一個基于BSIM3標準的LDMOS管，一個MOS管，第一電阻及第二電阻，以及一個電壓控制電壓源，所述LDMOS管、MOS管、第一電阻及第二電阻、電壓控制電壓源的連接關系為：

所述LDMOS管的漏端連接第一電阻的第一端，LDMOS管的源端連接第二電阻的第一端，LDMOS管的柵極直接引出；

所述MOS管的柵極連接電壓控制電壓源的正極， MOS管的源極接電壓控制電壓源的負極，MOS管的漏極接所述第二電阻的第二端；

所述第一電阻的第二端引出為等效電路的漏極，第二電阻的第二端引出為等效電路的源極。

2.如權利要求1所述的帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路，其特征在于：所述的MOS管基于BSIM3標準模型，描述LDMOS管的寄生MOS管，其柵寬及柵長分別作為一個擬合數值放在宏模型中，并且該MOS管還具有開啟電壓、遷移率、襯偏效應參數、源/漏阻抗、溫度特性參數、ute參數，作為MOS管模型擬合參數。

3.如權利要求1所述的帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路，其特征在于：所述的第一電阻描述LDMOS管漏端寄生電阻系數，第二電阻描述LDMOS管源端寄生電阻系數；第一電阻和第二電阻均包含BSIM3標準模型所含的溫度和電壓的修正系數。

4.如權利要求1所述的帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路，其特征在于：所述的電壓控制電壓源受LDMOS管的柵源電壓控制，具有電壓控制系數，其輸出電壓加在所述MOS管的柵源端。

5.如權利要求1所述的帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路的仿真方法，其特征在于：包含如下工藝步驟：

第1步，構建所述帶寄生效應的圓形高壓場效應管的等效電路；

第2步，根據構建的帶寄生效應的圓形高壓場效應管的等效電路，進行仿真。

6.如權利要求5所述的帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路的仿真方法，其特征在于：所述的MOS管基于BSIM3標準模型，描述LDMOS管的寄生MOS管，其柵寬及柵長分別作為一個擬合數值放在宏模型中，并且該MOS管還具有開啟電壓、遷移率、襯偏效應參數、源/漏阻抗、溫度特性參數、ute參數，作為MOS管模型擬合參數。

7.如權利要求5所述的帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路的仿真方法，其特征在于：所述的第一電阻描述LDMOS管漏端寄生電阻系數，第二電阻描述LDMOS管源端寄生電阻系數；第一電阻和第二電阻均包含BSIM3標準模型所含的溫度和電壓的修正系數。

8.如權利要求5所述的帶寄生效應的圓形高壓場效應管等效電路的仿真方法，其特征在于：所述的電壓控制電壓源受LDMOS管的柵源電壓控制，具有電壓控制系數，其輸出電壓加在所述MOS管的柵源端。