[發明專利]大功率方片可控硅封裝結構

有效

• 申請號: 201310724868.1
• 申請日: 2013-12-25
• 公開（公告）號: CN103646927A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 許志峰
• 申請（專利權）人: 江蘇東光微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 夏平

技術領域

?本發明涉及可控硅封裝結構，尤其是大功率方片可控硅封裝結構。

背景技術

可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。

目前，大功率方片可控硅封裝結構通常是通過將芯片封裝在上下相通的硅膠或樹脂類保護材料內，通過焊料將芯片焊接在需要安裝的位置，芯片周圍的硅膠或樹脂類保護材料直接接觸焊料，易產生硅膠保護層與芯片之間分層現象，產品抗濕能力差，工作可靠性低，容易損壞。

發明內容

本發明的目的是針對上述問題，提出一種大功率方片可控硅封裝結構。

本發明的技術方案是：

一種大功率方片可控硅封裝結構，它包括從上至下依次設置的上鉬片、第三焊料層、芯片、第二焊料層、下鉬片和第一焊料層，前述上鉬片、第三焊料層、芯片、第二焊料層、下鉬片和第一焊料層均置于硅膠框內，芯片的兩端插入硅膠框內部，硅膠框外部安裝有導電外殼，所述的導電外殼為頂部敞開，其余三面封閉的半包圍結構，所述的導電外殼的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。

本發明的導電外殼的厚度為1.5-2.5毫米。

本發明的導電外殼的厚度為2毫米。

本發明的有益效果：

本發明由于芯片周圍擁有一定厚度的金屬導電外殼保護層，芯片抗機械沖擊能力增加，產品在后續使用焊接過程中，由于芯片周圍硅膠或樹脂類保護材料不直接接觸焊料，避免了傳統封裝形式易產生的硅膠保護層與芯片之間分層現象，產品抗濕能力得到提升，工作可靠性提高。

本發明使用時，裝配操作簡易，相比于傳統封裝形式不良率降低一個數量級。

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附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖。

其中：1、導電外殼；2、第一焊料層；3、下鉬片；4、第二焊料層；5、芯片；6、第三焊料層；7、上鉬片；8、硅膠框。

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具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的說明。

如圖1所示，一種大功率方片可控硅封裝結構，它包括從上至下依次設置的上鉬片7、第三焊料層6、芯片5、第二焊料層4、下鉬片3和第一焊料層2，前述上鉬片7、第三焊料層6、芯片5、第二焊料層4、下鉬片3和第一焊料層2均置于硅膠框8內，芯片5的兩端插入硅膠框8內部，硅膠框8外部安裝有導電外殼1，所述的導電外殼1為頂部敞開，其余三面封閉的半包圍結構，所述的導電外殼1的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。

本發明的導電外殼1為銅外殼或者鋁外殼，厚度為1.5-2.5毫米左右，優選2毫米。

具體實施時：封裝外殼材料為銅（或鋁等散熱性能、導電性能良好類金屬材料），內部芯片與上下鉬片之間通過焊料燒結于銅殼內部，芯片與銅殼間隙采用硅膠或樹脂類保護材料填充。

本發明未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現。