[發明專利]有機發光二極管陣列的制備方法在審
| 申請號: | 201310724860.5 | 申請日: | 2013-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN104752347A | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | 簡良能;鄭榮安;安東;朱振東;林昌廷;吳逸蔚;李群慶;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82 |
| 代理公司: | 無 | 代理人: | 無 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 陣列 制備 方法 | ||
1.一種有機發光二極管陣列的制備方法,其包括:
提供一基板;
在上述基板一表面形成有序排列的多個凸部,每個凸部對應至少一子像素;
至少在多個凸部的頂面形成多個第一電極,且多個第一電極相互間隔設置;
在每個第一電極的表面制備一電洞注入層;
在每個電洞注入層的表面轉印形成一電洞傳輸層,且對應同一像素單元的三個電洞傳輸層具有不同的厚度;
在對應同一像素單元的三個電洞傳輸層表面分別形成發不同顏色光的電激發光層作為有機發光層;
形成一圖案化的第二絕緣層,且該圖案化的第二絕緣層將位于相鄰的凸部之間,且使該有機發光層至少頂面暴露;以及
形成至少一第二電極,該至少一第二電極位于所述有機發光層遠離基板的一側且與該有機發光層電連接。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶體管陣列,該薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管,每個薄膜晶體管對應一子像素,且所述在基板的表面形成有序排列的多個凸部具體包括:
形成一連續的第一絕緣層覆蓋該薄膜晶體管陣列;以及
在該第一絕緣層遠離該薄膜晶體管陣列的表面形成該多個凸部,且每個凸部對應至少一薄膜晶體管。
3.如權利要求1所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶體管陣列,該薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管,每個薄膜晶體管對應一子像素;所述形成有序排列的多個凸部的步驟為形成多個呈陣列設置的凸部,每個凸部對應一薄膜晶體管設置,在每個凸部的表面形成一第一電極,每個第一電極對應一個薄膜晶體管且與該對應的薄膜晶體管電連接。
4.如權利要求1所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶體管陣列,該薄膜晶體管陣列包括多個薄膜晶體管,每個薄膜晶體管對應一子像素;所述形成有序排列的多個凸部的步驟為形成多個平行且間隔設置的條形凸部,每個凸部對應一列薄膜晶體管設置,且在每個凸部的表面形成多個相互間隔的第一電極,每個第一電極對應一個薄膜晶體管且與該對應的薄膜晶體管電連接。
5.如權利要求1所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述至少在所述多個凸部的頂面形成多個第一電極的方法包括:
形成一連續的導電層將該多個凸部覆蓋;
圖案化該連續的導電層形成多個相互間隔設置的第一電極,且每個第一電極至少設置于對應凸部的頂面和側面。
6.如權利要求1所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述在每個第一電極的表面制備一電洞注入層的方法為通過轉印形成多個間隔設置的電洞注入層,且每個電洞注入層設置于一第一電極的表面。
7.如權利要求1所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述在每個第一電極的表面制備一電洞注入層的方法為通過熱沉積的方法形成一連續的電洞注入層,且該電洞注入層將該多個第一電極覆蓋。
8.如權利要求1所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述在每個電洞注入層的表面轉印形成一電洞傳輸層的方法為通過一次轉印在對應同一像素單元的三個電洞注入層表面形成具有不同厚度的電洞傳輸層。
9.如權利要求8所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述在每個電洞注入層的表面轉印形成一電洞傳輸層的方法包括:
提供一印模,并在該印模的表面形成一電洞傳輸薄膜,且該電洞傳輸薄膜對應同一像素單元的凸部具有不同的厚度;
使對應同一像素單元的三個電洞注入層的表面與該電洞傳輸薄膜接觸;以及
使所述電洞注入層與該印模分離,在對應同一像素單元的三個電洞注入層的表面形成不同厚度的電洞傳輸層。
10.如權利要求9所述的有機發光二極管陣列的制備方法,其特征在于,所述印模對應同一像素單元的凸部具有不同高度的第五表面、第六表面和第七表面;在該印模的表面形成電洞傳輸薄膜后,該電洞傳輸薄膜遠離印模的表面為一平面,從而使得該電洞傳輸薄膜在第五表面、第六表面和第七表面的部分具有不同的厚度。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





