[發明專利]介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量裝置及方法

有效

• 申請號: 201310724810.7
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103823114A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 王俊;陳益峰;李得天;楊生勝;秦曉剛;湯道坦;史亮;柳青;趙呈選
• 申請（專利權）人: 蘭州空間技術物理研究所
• 主分類號: G01R27/08
• 分類號: G01R27/08
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮

1.一種介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量裝置，其特征在于，包括：真空室、用于模擬空間環境高能電子的電子加速器、介質材料、屏蔽殼、絕緣導熱墊、用于給所述介質材料加熱的加熱片、隔熱墊、用于測量所述介質材料漏電流的靜電計、用于給所述加熱片供電的加熱片電源、真空抽氣系統、樣品臺、三維運動導軌、用于監測所述介質材料溫度的溫度巡檢儀、用于監測所述介質材料表面電位的非接觸式電位計；

其中，所述電子加速器位于所述真空室的頂部；所述樣品臺位于所述真空室的底部；所述隔熱墊放置于所述樣品臺的上表面；所述加熱片放置于所述隔熱墊的上表面，所述絕緣導熱墊放置于所述加熱片的上表面，所述介質材料放置于所述絕緣導熱墊的上表面；所述屏蔽殼位于所述介質材料外側，包圍所述介質材料、絕緣導熱墊、加熱片和隔熱墊；所述三維運動導軌安裝于所述真空室的底部，且位于所述樣品臺的左側，所述三維運動導軌的測頭位于所述介質材料的上方；

所述靜電計、加熱片電源、真空抽氣系統、溫度巡檢儀和非接觸式電位計位于所述真空室的外部；所述溫度巡檢儀與所述介質材料相連；所述靜電計的一端與所述介質材料相連，所述靜電計的另一端接地；所述加熱片電源與所述加熱片相連；所述非接觸式電位計的一端與所述三維運動導軌的測頭相連，所述非接觸式電位計的另一端接地；所述真空抽氣系統緊貼所述真空室的外壁。

2.根據權利要求1所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量裝置，其特征在于：

所述介質材料的下表面設置有金屬背電極；

所述靜電計的一端與所述金屬背電極相連，所述靜電計的另一端接地。

3.根據權利要求1所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量裝置，其特征在于：

所述加熱片的上表面涂覆有導熱硅脂；和/或，

所述絕緣導熱墊的上表面涂覆有導熱硅脂。

4.根據權利要求1所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量裝置，其特征在于：

所述隔熱墊的導熱系數小于0.1W/(m·K)。

5.一種介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量方法，其特征在于，使用如權利要求1-4任一所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量裝置；所述介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量方法包括：

將隔熱墊放置于樣品臺的上表面，將加熱片放置于所述隔熱墊的上表面，將絕緣導熱墊放置于所述加熱片的上表面，將介質材料放置于所述絕緣導熱墊的上表面；

開啟真空抽氣系統給真空室抽真空；

開啟電子加速器模擬空間環境的高能電子；

開啟加熱片電源給加熱片供電，所述加熱片給所述介質材料加熱；

通過溫度巡檢儀監測所述介質材料的溫度；

通過非接觸式電位計監測所述介質材料的表面電位；

通過靜電計監測所述介質材料的漏電流；

通過所述介質材料的表面電位和所述介質材料的漏電流，計算所述介質材料在不同溫度下的輻射誘導電導率。

6.根據權利要求5所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量方法，其特征在于，所述開啟真空抽氣系統給真空室抽真空，包括：

開啟真空抽氣系統；

將所述真空室抽至真空度高于5.0×10^-4Pa的真空。

7.根據權利要求5所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量方法，其特征在于，所述加熱片給所述介質材料加熱，包括：

所述加熱片將所述介質材料加熱至30℃～150℃范圍內的任一溫度值。

8.根據權利要求5所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量方法，其特征在于，所述開啟電子加速器模擬空間環境的高能電子，包括：

開啟電子加速器；

所述電子加速器模擬高能電子能量范圍在0.8MeV-2.3MeV，束流密度范圍在1nA/cm²-25nA/cm²內的空間環境。

9.根據權利要求5所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量方法，其特征在于，所述通過非接觸式電位計監測所述介質材料的表面電位，包括：

采用型號為Trek341A的非接觸式電位計監測所述介質材料的表面電位。

10.根據權利要求5所述的介質材料不同溫度下輻射誘導電導率測量方法，其特征在于，所述通過靜電計監測所述介質材料的漏電流，包括：

采用型號為Keithley6517A的靜電計監測所述介質材料的漏電流。