[發(fā)明專利]三維兩端口位單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310724676.0
• 申請(qǐng)日: 2013-12-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104464800B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王俐文;陳炎輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/419
• 分類號(hào): G11C11/419
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，包括：

讀取端口陣列，設(shè)置在三維集成電路的第一層上；以及

位單元陣列，設(shè)置在所述三維集成電路的第二層上，

其中，所述第二層垂直放置于所述第一層的上方或者下方，以及

其中，所述位單元陣列的每個(gè)位單元通過(guò)從所述第一層延伸至所述第二層的通孔連接至所述讀取端口陣列的一個(gè)相應(yīng)的讀取端口單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，還包括：

讀解碼器和第一輸入/輸出電路，設(shè)置在所述第一層上并且連接至所述讀取端口陣列；以及

寫解碼器和第二輸入/輸出電路，設(shè)置在所述第二層上并且連接至所述位單元陣列。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，所述讀取端口陣列包括按照行和列布置的多個(gè)讀取端口單元，每個(gè)讀取端口單元均連接至至少一根讀字線以及至少一根全局讀位線。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，每個(gè)讀取端口單元包括三態(tài)緩沖器或傳輸門。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，每個(gè)所述讀取端口單元均包括：

第一類型的第一晶體管，具有連接至第一電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的源極以及通過(guò)從所述第一層延伸至所述第二層的通孔連接至位單元的柵極；

第一類型的第二晶體管，具有連接至所述第一類型的第一晶體管的漏極的源極、連接至全局讀位線的漏極以及連接至互補(bǔ)讀字線的柵極；

第二類型的第一晶體管，具有連接至第二電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的源極和通過(guò)所述通孔連接至所述位單元的柵極；以及

第二類型的第二晶體管，具有連接至所述第二類型的第一晶體管的漏極的源極、連接至所述全局讀位線的漏極以及連接至互補(bǔ)讀字線的柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，每個(gè)讀取端口單元均包括：

第一類型的第一晶體管，具有通過(guò)從所述第一層延伸至所述第二層的通孔連接至位單元的源極、連接至互補(bǔ)讀字線的柵極以及連接至全局讀位線的漏極；以及

第二類型的第一晶體管，具有通過(guò)從所述第一層延伸至所述第二層的通孔連接至所述位單元的源極、連接至互補(bǔ)讀字線的柵極以及連接至所述全局讀位線的漏極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，所述位單元陣列的每個(gè)位單元均包括：

第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管，每個(gè)傳輸晶體管都連接至鎖存器、寫字線以及相應(yīng)的互補(bǔ)位線，讀傳輸晶體管中的至少一個(gè)通過(guò)從所述第一層延伸至所述第二層的通孔連接至讀取端口單元。

8.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，包括：

三維集成電路的第一層，包括：

讀輸入/輸出電路，

讀解碼器，以及

讀取端口陣列，包括按照行和列布置的多個(gè)讀取端口單元，所述讀取端口單元的每一行都通過(guò)至少一根讀字線連接至所述讀解碼器，并且所述讀取端口單元的每一列都通過(guò)全局位線連接至所述讀輸入/輸出電路；以及

所述三維集成電路的第二層，垂直設(shè)置在所述第一層的上方或下方，所述第二層包括：

寫輸入/輸出電路；

寫解碼器，以及

位單元陣列，包括按照行和列布置的多個(gè)位單元，所述位單元的每一行都通過(guò)寫字線連接至所述寫解碼器，并且所述位單元的每一列都通過(guò)一對(duì)互補(bǔ)位線連接至所述寫輸入/輸出電路；

其中，每個(gè)位單元都通過(guò)從所述第一層延伸至所述第二層的通孔連接至所述讀取端口陣列的一個(gè)相應(yīng)的讀取端口單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，所述多個(gè)讀取端口單元的每個(gè)讀取端口單元都包括三態(tài)緩沖器或傳輸門。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中，每個(gè)所述讀取端口單元都包括：

第一類型的第一晶體管，具有連接至第一電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的源極以及通過(guò)從所述第一層延伸至所述第二層的通孔連接至位單元的柵極；

第一類型的第二晶體管，具有連接至所述第一類型的第一晶體管的漏極的源極、連接至全局讀位線的漏極以及連接至互補(bǔ)讀字線的柵極；

第二類型的第一晶體管，具有連接至第二電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)的源極以及通過(guò)所述通孔連接至所述位單元的柵極；以及

第二類型的第二晶體管，具有連接至所述第二類型的第一晶體管的漏極的源極、連接至所述全局讀位線的漏極以及連接至互補(bǔ)讀字線的柵極。