[發(fā)明專利]一系列有機電致發(fā)光材料及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310724529.3 | 申請日： | 2013-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN103833507A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曹建華;郭劍;李雅敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 石家莊誠志永華顯示材料有限公司 |
| 主分類號： | C07C13/72 | 分類號： | C07C13/72;C07D213/16;C07C211/61;C07C211/31;C07C211/54;C07D209/88;C07D209/86;C07D271/107;C07D271/06;C07D285/14;C07D235/18;C07D235/02;C07 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 關(guān)暢 |
| 地址： | 050091 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一系列 有機 電致發(fā)光 材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.式I所示化合物，
所述式I中，R選自C1-C20的芳香基、C1-C50的芳香乙烯基、C1-C50的稠環(huán)芳香基、C1-C50的稠環(huán)芳香乙烯基、C1-C50的二芳基胺基、C1-C50的含氮、硫和氧原子中至少一種的稠環(huán)基和C1-C50的含氮、硫、氧、磷和硅原子中至少一種的芳香基中的任意一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于：所述C1-C20的芳香基為苯基、聯(lián)苯基、萘基、吡啶基或蒽基；
所述C1-C50的芳香乙烯基為
所述C1-C50的稠環(huán)芳香基為芘基、蒽基、二苯并[b,d]呋喃基、芴基、螺芴基或二苯并[b,d]噻吩基；
所述C1-C50的稠環(huán)芳香乙烯基為
所述C1-C50的二芳基胺基為
所述C1-C50的含氮、硫和氧原子中至少一種的稠環(huán)基為
所述C1-C50的含氮、硫、氧、磷和硅原子中至少一種的芳香基為
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其特征在于：所述式I所示化合物為如下化合物中的任意一種：
所述化合物027中，n為4-8的整數(shù)；
所述化合物054、055、056、057中，n均為1-8的整數(shù)；
所述化合物077中，n為0-8的整數(shù)；
所述化合物078中，X為O或S；
所述化合物079中，R8為Ph、4-OMe-Ph、OMe或Me。
4.含有權(quán)利要求1-3任一所述式I所示化合物的發(fā)光材料；或者，
權(quán)利要求1-3任一所述式I所示化合物在制備發(fā)光材料中的應(yīng)用；
所述發(fā)光材料具體為有機電致熒光發(fā)光材料；
所述發(fā)光材料的發(fā)光波長具體為420-480nm；
所述發(fā)光材料的紫外吸收波長為245-325nm。
5.權(quán)利要求1-3任一所述式I所示化合物作為發(fā)光層在制備有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用；
含有權(quán)利要求1-3任一所述式I所示化合物作為發(fā)光層的有機電致發(fā)光器件；
其中，所述有機電致發(fā)光器件具體為有機電致熒光發(fā)光器件，更具體為有機電致藍色熒光發(fā)光材料；
所述發(fā)光材料的發(fā)光波長具體為420-480nm；
所述發(fā)光材料的紫外吸收波長為245-325nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的應(yīng)用或器件，其特征在于：所述有機電致發(fā)光器件由下至上依次由透明基片、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層組成；
其中，構(gòu)成所述透明基片的材料為玻璃或柔性基片；
構(gòu)成所述陽極層的材料為無機材料或有機導(dǎo)電聚合物；其中，所述無機材料為氧化銦錫、氧化鋅、氧化錫鋅、金、銀或銅；所述有機導(dǎo)電聚合物選自聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸鈉和聚苯胺中的至少一種；
構(gòu)成所述空穴注入層的材料為TDATA；
所述TDATA的結(jié)構(gòu)式如下：
構(gòu)成所述空穴傳輸層的材料為NPB；
所述NPB的結(jié)構(gòu)式如下：
構(gòu)成所述有機發(fā)光層的材料為權(quán)利要求1-2任一所述式I所示化合物；
構(gòu)成所述電子傳輸層的材料為Alq3、Gaq3、BPhen或TPBi；
其中，Alq3、Gaq3、BPhen和TPBi的結(jié)構(gòu)式依次如下：
構(gòu)成所述陰極層的材料選自下述元素中的任意一種或任意兩種組成的合金或下述元素的氟化物：鋰、鎂、銀、鈣、鍶、鋁、銦、銅、金和銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用或器件，其特征在于：
所述空穴注入層的厚度為30-50nm，具體為40nm；
所述空穴傳輸層的厚度為5-15nm，具體為10nm；
所述有機發(fā)光層的厚度為10-100nm，具體為40nm；
所述電子傳輸層的厚度為10-30nm，具體為50nm；
所述陰極層的厚度為90-110nm，具體為100nm。
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