[發(fā)明專利]電阻器、顯示設(shè)備和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310724080.0
• 申請(qǐng)日: 2013-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN103904065B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種電阻器，包括：

在基板之上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層之上的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層之上的半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層之上的一對(duì)電極層；

在所述一對(duì)電極層之上的包含開口的第三絕緣層；以及

在所述第三絕緣層之上的第四絕緣層，

其中所述半導(dǎo)體層是含有銦、鋅與選自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金屬的氧化物，

其中所述第四絕緣層包含氫，并且

其中所述第四絕緣層通過所述開口與所述半導(dǎo)體層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器，

其中所述半導(dǎo)體層包括微晶區(qū)，

其中在利用以上且以下的射束直徑的所述微晶區(qū)的電子衍射圖中觀察到布置于周邊的多個(gè)斑點(diǎn)，并且

其中在利用以上的射束直徑的所述微晶區(qū)的電子衍射圖中沒有觀察到斑點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器，其中所述第四絕緣層是氮化硅膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器，其中所述第四絕緣層與所述半導(dǎo)體層接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器，其中所述第四絕緣層中所含有的氫濃度為1×10²²原子/cm³或更高。

6.一種電阻器，包括：

半導(dǎo)體層；以及

在所述半導(dǎo)體層之上的絕緣層，

其中所述半導(dǎo)體層是含有銦、鋅與選自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金屬的氧化物，

其中所述絕緣層包含氫，

其中所述半導(dǎo)體層包括微晶區(qū)，

其中在利用以上且以下的射束直徑的所述微晶區(qū)的電子衍射圖中觀察到布置于周邊的多個(gè)斑點(diǎn)，并且

其中在利用以上的射束直徑的所述微晶區(qū)的電子衍射圖中沒有觀察到斑點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻器，還包括在所述半導(dǎo)體層之上的一對(duì)電極層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻器，其中所述絕緣層是氮化硅膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的電阻器，其中所述半導(dǎo)體層的電阻率高于或等于1×10^-3Ωcm且低于1×10⁴Ωcm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻器，其中所述絕緣層與所述半導(dǎo)體層接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻器，其中所述絕緣層中所含有的氫濃度為1×10²²原子/cm³或更高。

12.一種顯示設(shè)備，包括：

像素部分；

在所述像素部分外部的驅(qū)動(dòng)電路部分；以及

與所述像素部分和所述驅(qū)動(dòng)電路部分之一或兩者電連接的保護(hù)電路部分，

其中所述像素部分包括像素電極以及與所述像素電極電連接的第一晶體管，

其中所述驅(qū)動(dòng)電路部分包括被配置用于控制所述第一晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)的第二晶體管，

其中所述第一晶體管和所述第二晶體管中的每個(gè)晶體管包括在溝道形成區(qū)內(nèi)的第一氧化物半導(dǎo)體層，所述第一氧化物半導(dǎo)體層與第一絕緣層接觸，

其中所述保護(hù)電路部分包括在形成所述第一氧化物半導(dǎo)體層的同一過程中形成的第二氧化物半導(dǎo)體層，所述第二氧化物半導(dǎo)體層通過所述第一絕緣層的開口與第二絕緣層接觸，

其中所述第一氧化物半導(dǎo)體層和所述第二氧化物半導(dǎo)體層的每一個(gè)都是含有銦、鋅與選自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金屬的氧化物，

其中所述第一氧化物半導(dǎo)體層中的氫濃度不同于所述第二氧化物半導(dǎo)體層中的氫濃度，并且

其中所述第二絕緣層包含氫。