[發明專利]一種山葵脫毒苗的培養方法

有效

• 申請號: 201310724001.6
• 申請日: 2013-12-24
• 公開（公告）號: CN103718963A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 王躍華;孫雁霞;劉洪明;段茂華;任三軍;趙鋼;宋超;劉銀花;唐川;梅英;徐恩琴;唐鳳如;江明殊;李睿玉;許志強
• 申請（專利權）人: 成都大學
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 成都科奧專利事務所(普通合伙) 51101
• 代理人: 王蔚

技術領域

本發明涉及一種山葵植物的組織培養方法，特別是涉及一種山葵脫毒苗的培養方法。?

背景技術

山葵(Wasabi?japonica?Matsum)又名山崳菜、山菜，為十字花科山崳菜，屬多年生半陰生草本植物。山葵中含有一種芥子苷類的物質，在植物體被磨碎時，該物質在芥子苷酶的作用下水解形成異硫氰酸酯類化合物，具有殺菌、防腐、利尿、清血、抗感染、抗癌等多種藥用活性，是國際上公認的極為稀缺和珍貴的藥食同源植物。?

山葵植物在自然條件下生長常受到許多病蟲害的危害，如在何月秋等人的研究文獻《云南省山葵常見病害和癥狀調查》中專門報道了山葵植物有墨入病、霜霉病、白銹病、立枯病、軟腐病、病毒病和根結線蟲病等多種常見病害癥狀，其中以墨入病對山葵的葉、葉柄、根莖、根須造成的危害最大，直接造成山葵產品的質量下降和減產，嚴重時還會造成山葵植物全部死亡；立枯病主要危害幼苗基部，有時在種子萌發后尚未出土就變褐死亡；病毒病的患病植株表現為葉片大多葉脈間失綠，呈黃綠色相間的花葉狀，有的葉片變小、畸形，葉脈對光有明脈現象，植株長勢不良；軟腐病主要危害根莖及葉柄，根莖危害初期，外圍葉片在烈日下表現萎蔫，嚴重時根莖內部組織崩解，產生灰白色惡臭的菌膿，最后整株萎蔫死亡。因此，為保持山葵植物的優良品質，并提高其產量，有必要提供一種山葵植物的組織培養方法。?

發明內容

本發明的目的在于提供一種山葵脫毒苗的培養方法。?

本發明提供的山葵脫毒苗的培養方法包括如下步驟：?

（1）切取山葵根莖上生長的芽體的芽尖部分，將其放在超凈工作臺上，先用0.1%的升汞消毒2～5分鐘，再用無菌水清洗后，接種于促進芽尖快速生長的培養基MS+KT0.5～1.5mg·L^-1+NAA0.3～1.0mg·L^-1中，在12～20℃、每天光照6～12小時、光照強度為1000～1500lx的條件下進行培養；?

（2）選取步驟（1）中培養的長度在1.0cm以上的無菌芽體，轉接入MS+6-BA1～3.0mg·L^-1+IAA0.5～2.0mg·L^-1+脯氨酸0.5～2%+活性炭1～3%的培養基中，先在5℃的條件下培養15天，再放在培養箱中進行8～15天的變溫處理；?

（3）選取生長良好的芽體于解剖鏡下，用解剖針小心剝去芽體外面的幼葉后，切取帶有1～4個葉原基的芽分生組織，接入叢生芽分化培養基MS+6-BA1.0～3mg·L^-1+KT0.1～0.5mg·L^-1中，在15～22℃、每天光照10～14小時、光照強度為1000～1500lx的條件下培養；?

（4）選取生長的山葵叢生芽，將其分割為單株后轉入壯苗培養基MS+NAA0.05～0.1mg·L^-1+6-BA0.1～0.5mg·L^-1+KT0.05～0.2mg·L^-1中，在10～18℃、每天光照10～16小時、光照強度為1000～1500lx的條件下培養；?

（5）選取生長健壯的山葵無根苗接入生根培養基White+NAA0.1～1.0mg·L^-1中，在15～22℃、每天光照6～10小時、光照強度為800～1000lx的條件下誘導生根；?

（6）當無根苗長出3～4條以上不定根時，打開瓶蓋，在室內煉苗2～4天后，將其從培養瓶中取出，用無菌水洗去不定根上的培養基后，移栽至消毒后的土壤中生長。?

進一步地，步驟（1）中所述芽體的芽尖部分是指芽體上部長度為0.2～?0.5cm的芽尖部分。?

進一步地，步驟（2）中所述變溫處理是指在8～12℃的條件下培養19小時與在30～45℃的條件下培養5小時交替進行。?

進一步地，步驟（6）中所述土壤是由蛭石和全營養土按2:1配制而成，土壤消毒是指先采用0.1%多菌靈消毒6～10小時，再用0.1%高錳酸鉀消毒12～24小時。?

進一步地，步驟（6）中煉苗的培養條件為溫度15～20℃和相對濕度80%～95%，移栽后的培養條件為培養溫度12～20℃、相對濕度為70～80%、每天光照4～10小時和光照強度為800～1200lx。?

上述所有培養基的pH值為5.6～6.2，瓊脂5.5～6.5g·L^-1，蔗糖25～35g·L^-1。?