[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310723955.5
• 申請(qǐng)日: 2013-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN104733457A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡英杰;陳永初;龔正
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/06
• 分類號(hào): H01L27/06;H01L21/82
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

具有一第一導(dǎo)電型的一深摻雜區(qū)，包括一第一埋入層與二高壓摻雜區(qū)，且位于一襯底中；

具有一第二導(dǎo)電型的一第一阱區(qū)，位于該深摻雜區(qū)中；

具有該第一導(dǎo)電型的一基體區(qū)，位于該第一阱區(qū)中，未與該深摻雜區(qū)相連；

一絕緣柵雙極晶體管，位于該基體區(qū)的一第一側(cè)的該第一阱區(qū)上，且包括位于該基體區(qū)中的具有該第二導(dǎo)電型的一第一摻雜區(qū)；以及

一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，位于該基體區(qū)的一第二側(cè)的該第一阱區(qū)與該深摻雜區(qū)上，且包括位于該基體區(qū)中的具有該第二導(dǎo)電型的一第二摻雜區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，更包括具有該第二導(dǎo)電型的一第二埋入層，位于該第一埋入層與該襯底之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，更包括具有該第二導(dǎo)電型的一第二阱區(qū)，位于該第一阱區(qū)中，其中該基體區(qū)位于該第二阱區(qū)中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該絕緣柵雙極晶體管，更包括：

一隔離結(jié)構(gòu)，位于該第一阱區(qū)中；

一柵極結(jié)構(gòu)，位于該隔離結(jié)構(gòu)的一第一側(cè)的該第一阱區(qū)上，覆蓋部分該隔離結(jié)構(gòu)與部分該基體區(qū)，且與該第一摻雜區(qū)相鄰；

具有該第一導(dǎo)電型的一第三摻雜區(qū)，位于該隔離結(jié)構(gòu)的一第二側(cè)的該第一阱區(qū)中；

具有該第二導(dǎo)電型的一第四摻雜區(qū)，位于該第三摻雜區(qū)與該隔離結(jié)構(gòu)之間的該第一阱區(qū)中，且與該第三摻雜區(qū)接觸；以及

具有該第一導(dǎo)電型的一頂摻雜區(qū)，位于該隔離結(jié)構(gòu)的下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該頂摻雜區(qū)自該隔離結(jié)構(gòu)下方延伸至該第四摻雜區(qū)下方并與該第四摻雜區(qū)相接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該頂摻雜區(qū)自該隔離結(jié)構(gòu)下方延伸至該第三摻雜區(qū)下方并與該第三摻雜區(qū)以及該第四摻雜區(qū)相接觸。

7.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，包括：

于一襯底中形成具有一第一導(dǎo)電型的一深摻雜區(qū)，該深摻雜區(qū)包括一第一埋入層與二高壓摻雜區(qū)；

于該深摻雜區(qū)中形成具有一第二導(dǎo)電型的一第一阱區(qū)；

于該第一阱區(qū)中形成具有該第一導(dǎo)電型的一基體區(qū)，該基體區(qū)未與該深摻雜區(qū)相連；

于該基體區(qū)的一第一側(cè)的該第一阱區(qū)上形成一絕緣柵雙極晶體管，形成該絕緣柵雙極晶體管包括于該基體區(qū)中形成具有該第二導(dǎo)電型的一第一摻雜區(qū)；以及

于該基體區(qū)的一第二側(cè)的該第一阱區(qū)與該深摻雜區(qū)上形成一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，形成該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包括于該基體區(qū)中形成具有該第二導(dǎo)電型的一第二摻雜區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，更包括于該第一埋入層與該襯底之間形成具有該第二導(dǎo)電型的一第二埋入層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，更包括于該第一阱區(qū)中形成具有該第二導(dǎo)電型的一第二阱區(qū)，其中該基體區(qū)位于該第二阱區(qū)中。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其中形成該絕緣柵雙極晶體管更包括：

于該第一阱區(qū)中形成一隔離結(jié)構(gòu)；

于該隔離結(jié)構(gòu)的一第一側(cè)的該第一阱區(qū)上形成一柵極結(jié)構(gòu)，以覆蓋部分該隔離結(jié)構(gòu)與部分該基體區(qū)，且與該第一摻雜區(qū)相鄰；

于該隔離結(jié)構(gòu)的一第二側(cè)的該第一阱區(qū)中形成具有該第一導(dǎo)電型的一第三摻雜區(qū)；

于該第三摻雜區(qū)與該隔離結(jié)構(gòu)之間的該第一阱區(qū)中形成具有該第二導(dǎo)電型的一第四摻雜區(qū)，該第四摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)接觸；以及

于該隔離結(jié)構(gòu)的下方形成具有該第一導(dǎo)電型的一頂摻雜區(qū)。